具场板之宽能带隙电晶体装置

摘要

本发明揭示一种电晶体结构，其包含一活性半导体层与所形成之与该活性层电接触的金属源极与汲极接点。在源极与汲极接点之间形成一闸极接点以用于调节该活性层内之电场。于该活性层上形成一分隔层，且于该分隔层上形成一导电场板，其自闸极接点之边缘向汲极接点延伸距离Lf。该场板电连接至该闸极接点。