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发明名称
低k介层表面之损害控制LOW K DIELECTRIC SURFACE DAMAGE CONTROL
摘要
一种在铜镶嵌结构中移除氮化矽或含氮底部蚀刻中止层之方法,系经由使用一种含氟与氧之高密度、高原子团浓度电浆来蚀刻底部蚀刻中止层,以使底部蚀刻中止层下面的铜层之回溅镀现象减至最小,并且也可使经电浆造成之低k内层介电材料的表面粗糙度减至最小。
申请公布号
TW200516702
申请公布日期
2005.05.16
申请号
TW093133653
申请日期
2004.11.04
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
发明人
陶宏远;陈嘉仁;梁孟松
分类号
H01L21/76
主分类号
H01L21/76
代理机构
代理人
蔡坤财
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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