| 摘要 |
本发明揭示一种制造一半导体装置之方法，其包括以下步骤：提供一在其上形成单元串(cell string)及在其内形成复数个导电区之半导体基板；按顺序在该半导体基板上形成一第一层间绝缘薄膜及一第一蚀刻阻挡薄膜；藉由曝露形成于该半导体基板内之该等复数个导电区来形成复数个接触孔；将一金属材料填充入该等接触孔内并形成复数个接触插塞(contact plug)；按顺序在一包括该等接触插塞之所得结构上形成一第二层间绝缘薄膜、一第二蚀刻阻挡薄膜及一第三层间绝缘薄膜；形成复数个金属线图案，其中该等金属线图案穿过该第三层间绝缘薄膜、该第二蚀刻阻挡薄膜及该第二层间绝缘薄膜并与该等接触插塞相接触；在一包括该等复数个金属线图案之所得结构上形成一第四层间绝缘薄膜；藉由将该第四层间绝缘薄图案化来形成复数个金属线接触孔；及藉由将一金属材料填充在该等金属线接触孔内来在该等复数个金属线接触孔内形成复数个金属线接触插塞。 |
