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发明名称
氮化镓系化合物半导体发光元件、其正极、使用它之发光二极体、及使用它之灯
摘要
本发明提供一种具有良好的欧姆特性、接合特性及发光输出之覆晶型氮化镓系化合物之半导体发光二极体元件。本发明之覆晶型氮化镓系化合物之半导体发光二极体元件,系具有由接于p型半导体层之由铑所构成的欧姆电极层,该欧姆电极层上之由厚度为10以上之钛所构成的接合层,以及由选自由金、铝、镍及铜所构成的族群中之金属或含有该等金属中之至少一种的合金所构成的3层结构之正极。
申请公布号
TW200516790
申请公布日期
2005.05.16
申请号
TW093130949
申请日期
2004.10.13
申请人
昭和电工股份有限公司
发明人
渡边宗隆
分类号
H01L33/00
主分类号
H01L33/00
代理机构
代理人
何金涂;何秋远
主权项
地址
日本
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