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发明名称
半导体单结晶制造装置
摘要
〔课题〕提供一种能减低因为舱室炉内高温环境气体下之绳索局部性劣化之半导体单结晶制造装置。【解决手段】于舱室(22)炉内设有填充有矽熔液(28)之坩埚(24),于舱室(22)上方配置有牵引舱室(23),于牵引舱室(23)内部与炉内之间,被升降之晶种保持器(32)系透过连结构件(31)吊持于绳索(50),同时,当晶种保持器(32)位于着液位置时,于绳索(50)设置轴颈(52),以使绳索(50)前端旁边之绳索露出部分系于高温环境气体下在既定温度以下。
申请公布号
TW200516179
申请公布日期
2005.05.16
申请号
TW093130512
申请日期
2004.10.08
申请人
小松电子金属股份有限公司
发明人
梅木俊郎
分类号
C30B15/30
主分类号
C30B15/30
代理机构
代理人
洪澄文
主权项
地址
日本
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