非挥发性记忆体及其制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体的制造方法，此方法系先提供基底。于此基底上形成穿隧介电层后，进行高密度电浆化学气相沈积制程，于穿隧介电层上形成电荷陷入层。接着，于电荷陷入层上形成阻挡介电层，并于阻挡介电层上形成闸极。然后，于闸极两侧之基底中形成源极／汲极区。