介电体陶瓷组合物及陶磁电子零件

摘要

本发明系提供一种介电体陶瓷组合物，其系可于1000℃以下之温度下烧结，烧结体之相对介电常数为550以上，电容变化率之温度特性满足JIS规格之B特性，于施加电压时相对介电常数实质上亦不变化之Ag–Cu–Nb–Ta–O系者。一种介电体陶瓷组合物 ，其主要成分含有以AgaCubNbcTadO3表示之组成，于AgaCubNbcTadO3中，其满足0.7≦a≦0.95、0.05≦b≦0.3、0.4≦c≦0.6及0.4≦d≦0.6之各条件，并且满足0.95≦(a＋b)／(c＋d)≦1.02之条件。