高杂质钼氧化物形成之电子装置

摘要

本发明系关于电子装置，其中在该电子装置之至少一部分中系包含高纯度钼氧化物。依照本发明之装置系诸如一双极电晶体、一场效电晶体及一闸流体，其具有一高耐受电压。本发明亦关于利用高纯度钼氧化物所形成之恶劣环境电子装置。依照本发明之装置可以在诸如700℃之较低温度下来制造，此温度比制造GaN或SiC装置之温度(高于1000℃)还要低。