半导体电阻元件及其制造方法

摘要

本发明系揭露一种半导体电阻元件及其制造方法。当多晶矽作为电阻元件时，其两侧形成金属矽化物(salicide)具有接触垫用以与外部导线连接。然而如电阻元件为高电阻系数时，金属矽化物与其阻障氧化层之间会产生界面电阻，其系会受到电压及温度变化，造成电阻值不稳定。本发明则提供一高浓度的离子植入于多晶矽电阻元件之两端，且此高浓度离子植入步骤系于金属矽化物形成之前进行之；如此电阻元件之两侧于金属矽化物下方之多晶矽为较低之电阻系数，以大大降低此界面电阻，使电阻元件受电压和温度之变化可大为减小。