发明名称 |
Halbleitervorrichtung mit Wärmeabstrahlplatte und Anheftteil |
摘要 |
<p>Eine Halbleitervorrichtung beinhaltet ein Wärmeerzeugungselement (10); ein Anheftteil (50); erste und zweite Wärmeabstrahlplatten (20, 30), die auf ersten und zweiten Seiten (12, 13) des Wärmeerzeugungselementes (10) über das Anheftteil (50) angeordnet sind; einen Wärmeabstrahlblock (40), der zwischen der ersten Wärmeabstrahlplatte (30) und dem Wärmeerzeugungselement (10) über das Anheftteil (50) angeordnet ist; und einen Kunstharzverguß (60). Der Wärmeabstrahlblock (40) hat eine Dicke in einem Bereich zwishen 0,5 mm und 1,5 mm. Die Halbleitervorrichtung hat eine hohe Zuverlässigkeit des Anheftteils (50).</p> |
申请公布号 |
DE102004043523(A1) |
申请公布日期 |
2005.05.12 |
申请号 |
DE20041043523 |
申请日期 |
2004.09.08 |
申请人 |
DENSO CORP., KARIYA |
发明人 |
HIRANO, NAOHIKO;KATO, NOBUYUKI;MAMITSU, KUNIAKI;NAKASE, YOSHIMI |
分类号 |
H01L21/60;H01L23/00;H01L23/36;H01L23/42;H01L23/433;H01L23/492;H01L23/58;(IPC1-7):H01L23/36 |
主分类号 |
H01L21/60 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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