发明名称 Halbleitervorrichtung mit Wärmeabstrahlplatte und Anheftteil
摘要 <p>Eine Halbleitervorrichtung beinhaltet ein Wärmeerzeugungselement (10); ein Anheftteil (50); erste und zweite Wärmeabstrahlplatten (20, 30), die auf ersten und zweiten Seiten (12, 13) des Wärmeerzeugungselementes (10) über das Anheftteil (50) angeordnet sind; einen Wärmeabstrahlblock (40), der zwischen der ersten Wärmeabstrahlplatte (30) und dem Wärmeerzeugungselement (10) über das Anheftteil (50) angeordnet ist; und einen Kunstharzverguß (60). Der Wärmeabstrahlblock (40) hat eine Dicke in einem Bereich zwishen 0,5 mm und 1,5 mm. Die Halbleitervorrichtung hat eine hohe Zuverlässigkeit des Anheftteils (50).</p>
申请公布号 DE102004043523(A1) 申请公布日期 2005.05.12
申请号 DE20041043523 申请日期 2004.09.08
申请人 DENSO CORP., KARIYA 发明人 HIRANO, NAOHIKO;KATO, NOBUYUKI;MAMITSU, KUNIAKI;NAKASE, YOSHIMI
分类号 H01L21/60;H01L23/00;H01L23/36;H01L23/42;H01L23/433;H01L23/492;H01L23/58;(IPC1-7):H01L23/36 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人
主权项
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