Lithographische Maske und Verfahren zum Bedecken einer Maskenschicht

摘要

Die Erfindung betrifft eine lithographische Maske mit einem Maskensubstrat (3) und einer strukturierten Maskenschicht (4), die Maskenstrukturen (5) aufweist und die lithographisch auf ein weiteres Substrat übertragbar ist. Bei solchen Masken wird herkömmlich eine Schutzschicht in Form einer beabstandet zur Maskenschicht (4) angebrachten Membran vorgesehen, um Fremdpartikel oder andere Verunreinigungen aus der Schärfenebene der Maskenschicht (4) fernzuhalten. Erfindungsgemäß ist die Schutzschicht (6) unmittelbar auf die Maskenstrukturen (5) aufgebracht und füllt Zwischenräume zwischen den Maskenstrukturen (4) aus. Die erfindungsgemäß massiv ausgebildete Schutzschicht (6) verhindert noch zuverlässiger ein Eindringen von Fremdpartikeln oder Verunreinigungen (20) in Zwischenräume zwischen den Strukturen (5) der Maskenschicht (4); die Fremdpartikel oder Verunreinigungen (20) können sich nur noch in größerem Abstand von der Schärfenebene auf der Außenseite (16) der Schutzschicht (6) ablagern.