| 发明名称 |
METHOD FOR FORMING GATE OF ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY CELL |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR20050044186(A) |
申请公布日期 |
2005.05.12 |
| 申请号 |
KR20030078776 |
申请日期 |
2003.11.07 |
| 申请人 |
MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD. |
发明人 |
KIM, YOUN JANG |
| 分类号 |
H01L27/115;(IPC1-7):H01L27/115 |
主分类号 |
H01L27/115 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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