| 主权项 |
1.一种制作位元线接触洞之方法,包含有:提供一基底,包含有一主表面,于该主表面上形成有相邻两闸极导体堆叠结构,且该基底区分有一位元线接触洞区域设于相邻两闸极导体堆叠结构之间的上方,其中各该闸极导体堆叠结构具有一上表面以及垂直侧壁;于该闸极导体堆叠结构上表面以及垂直侧壁上沈积二氧化矽衬垫层;于该二氧化矽衬垫层上沈积一牺牲层;进行一第一化学机械研磨制程,将该牺牲层研磨平坦至该闸极导体堆叠结构的上表面停止;于该牺牲层以及该闸极导体堆叠结构的上表面上形成一旋涂玻璃(SOG)层;于该旋涂玻璃层上,形成一光阻图案,其遮盖该位元线接触洞区域;利用该光阻图案为蚀刻硬遮罩,蚀刻未被该光阻图案覆盖区域的该旋涂玻璃层、该牺牲层以及该二氧化矽衬垫层;去除该光阻图案,留下位于该相邻两闸极导体堆叠结构之间上方该位元线接触洞区域内之该旋涂玻璃层、该牺牲层以及该二氧化矽衬垫层;于该旋涂玻璃层上以及该闸极导体堆叠结构上表面以及垂直侧壁上沈积一氮化矽层;于该氮化矽层上沈积一介电层;进行一第二化学机械研磨制程,将该介电层研磨平坦至该旋涂玻璃层停止;以及去除剩下之该旋涂玻璃层以及该牺牲层,形成一接触洞。2.如申请专利范围第1项所述之制作位元线接触洞之方法,其中该牺牲层系为一多晶矽层。3.如申请专利范围第2项所述之制作位元线接触洞之方法,其中该多晶矽层的厚度约为4000埃。4.如申请专利范围第1项所述之制作位元线接触洞之方法,其中该闸极导体堆叠结构包含有一闸极氧化层、导电层以及氮化矽盖层。5.如申请专利范围第4项所述之制作位元线接触洞之方法,其中该导电层包含有多晶矽。6.如申请专利范围第4项所述之制作位元线接触洞之方法,其中该导电层包含有金属。7.如申请专利范围第1项所述之制作位元线接触洞之方法,其中该介电层系为硼磷矽玻璃(borophosphosilicate glass,BPSG)层。8.如申请专利范围第1项所述之制作位元线接触洞之方法,其中该旋涂玻璃层的厚度约为3000埃。图式简单说明:图一至图五显示习知技艺于两相邻闸极导体结构之间制作位元线接触洞之方法。图六至图十三显示本发明较佳实施例一种在沟渠电容动态唯读记忆体制程中,使用牺牲多晶矽层以及旋涂玻璃层,于两闸极导体堆叠结构间制作位元线接触洞之方法。 |
