发明名称 半导体积体电路装置的制造方法
摘要 【课题】提高图案的解像度。【解决手段】藉由中介光罩MK将利用变形照明的曝光光照射于半导体晶圆上的光阻膜,转移预定图案于前述半导体晶圆的曝光处理时,前述光罩MK系藉由除去光罩基板1上的浓淡膜2的一部份所形成的开口部,藉由除去前述预定图案的转移用的主开口部3以及前述浓淡膜2的一部份所形成的开口部,以在前述半导体晶圆上于未被解像的辅助开口部4具有周期性的状态下,使用被配置的光罩MK。
申请公布号 TWI232511 申请公布日期 2005.05.11
申请号 TW090124856 申请日期 2001.10.08
申请人 日立制作所股份有限公司 发明人 井上修;长谷川昇雄;池田修二
分类号 H01L21/30 主分类号 H01L21/30
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种半导体积体电路装置之制造方法,其特征系包含以下之工程:具有(a)于半导体晶圆,形成光阻膜之工程,(b)于前述半导体晶圆上之光阻膜,使用缩小投射光学系,经由藉由光罩照射变形照明所成曝光光线,于前述半导体晶圆,转印积体电路图案之工程;前述光罩乃具有(i)光罩基板,(ii)形成于第1之主面上之半色调膜;(iii)形成于前述半色调膜之开口部中,为转印前述积体电路图案之复数之主开口部,及(iv)形成于前述半色调膜之开口部中,于前述半导体晶圆上具有不能解析之复数之补助开口部;前述复数之主开口部及补助开口部乃于具有周期性地加以配置者。2.如申请专利范围第1项之半导体积体电路装置之制造方法,其中,前述主复数之开口部及补助开口部乃配置于形成相互交叉之复数之第1方向格子线和第2方向格子线的格子之格子点。3.如申请专利范围第2项之半导体积体电路装置之制造方法,其中,前述格子为正交格子。4.如申请专利范围第3项之半导体积体电路装置之制造方法,其中,前述第1方向格子线之间隔和前述第2方向格子线之间隔,实质上为同一者。5.如申请专利范围第4项之半导体积体电路装置之制造方法,其中,于转印前述积体电路图案之曝光处理时,使用对应于前述第1方向格子线、第2方向格子线之间隔构成的变形照明。6.如申请专利范围第5项之半导体积体电路装置之制造方法,其中,前述变形照明乃4重极照明或轮带照明。7.如申请专利范围第6项之半导体积体电路装置之制造方法,其中,前述积体电路图案乃孔图案者。8.如申请专利范围第2项之半导体积体电路装置之制造方法,其中,前述第1方向格子线之间隔和前述第2方向格子线之间隔,实质上为同一者。9.如申请专利范围第8项之半导体积体电路装置之制造方法,其中,于转印前述积体电路图案之曝光处理时,使用对应于前述第1方向格子线、第2方向格子线之间隔构成的变形照明。10.如申请专利范围第9项之半导体积体电路装置之制造方法,其中,前述变形照明乃4重极照明或轮带照明。11.如申请专利范围第10项之半导体积体电路装置之制造方法,其中,前述积体电路图案乃孔图案者。图式简单说明:图1系本发明的一实施形态之半导体积体电路装置的主要部位俯视图。图2(a)系转移图1的半导体积体电路装置的图案所使用的光罩的主要部位俯视图,(b)系(a)的A1-A1线的剖面图。图3系本发明的一实施形态之半导体积体电路装置的主要部位俯视图。图4(a)系转移图3的半导体积体电路装置的图案所使用的光罩的主要部位俯视图,(b)系(a)的A2-A2线的剖面图。图5(a)系使用图4的光罩之半导体积体电路装置的制程中的主要部位俯视图,(b)系(a)的A3-A3线的剖面图。图6(a)系接着图5的半导体积体电路装置的制程中的主要部位俯视图,(b)系(a)的A3-A3线的剖面图。图7(a)系接着图6的半导体积体电路装置的制程中的主要部位俯视图,(b)系(a)的A3-A3线的剖面图。图8(a)系接着图7的半导体积体电路装置的制程中的主要部位俯视图,(b)系(a)的A3-A3线的剖面图。图9(a)系具有本发明的一实施形态之CMIS-逻辑电路时半导体积体电路装置的密区域的主要部位俯视图,(b)系(a)的A4-A4线的剖面图。图10(a)系图9的半导体积体电路装置的图案转移用的光罩的主要部位俯视图,(b)系(a)的A5-A5线的剖面图。图11系具有本发明的一实施形态之DRAM-逻辑嵌入电路的半导体积体电路装置的密区域的主要部位俯视图。图12系图11的A6-A6线的剖面图。图13系本发明的一实施形态之半导体积体电路装置的制造时所使用的曝光装置的一例之说明图。图14(a)系图13的曝光装置的照明系的一例,四开口照明的俯视图,(b)系图13的曝光装置的照明系的其他一例,环带照明的俯视图。图15系显示本发明以及检讨例中的孔径的焦点偏移依存性图。图16系显示本发明以及检讨例中的疏区域的孔图案直径的曝光量依存性图。图17系具有使用与本发明的其他本实施形态有关的光罩所形成的孔图案之晶圆的主要部位俯视图。图18(a)系图17的孔图案形成所使用的光罩的一例之主要部位俯视图,(b)系(a)的A7-A7线的剖面图。图19系具有使用与本发明的再其他本实施形态有关的光罩所形成的孔图案之晶圆的主要部位俯视图。图20(a)系图19的孔图案形成所使用的光罩的一例之主要部位俯视图,(b)系(a)的A8-A8线的剖面图。图21系说明本发明的一实施形态中的光罩上的图案的配置方法的说明图。图22(a)系藉由图21的配置方法配置图案的光罩的主要部位俯视图,(b)系(a)的A9-A9线的剖面图。图23系具有使用与本发明的不同本实施形态有关的光罩所形成的孔图案之晶圆的主要部位俯视图。图24(a)系图23的孔图案形成所使用的光罩的一例之主要部位俯视图,(b)、(c)系显示图案配置为密的情形与疏的情形中的主开口部3的修正之说明图。图25系具有使用与本发明的再不同本实施形态有关的光罩所形成的孔图案之晶圆的主要部位俯视图。图26系图25的孔图案形成所使用的光罩的一例之主要部位俯视图。图27系转移图25的孔图案时所使用的曝光装置的照明系的一例之俯视图。
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