| 主权项 |
1.一种液晶显示装置,于相互面对之上基板与下基板之间,夹持液晶层,于1个点范围内,具有透过显示范围与反射显示范围之半透过反射型的液晶显示装置,其特征系:于前述上基板之外侧面设置上偏光板,同时于前述下基板的外侧面设置下偏光板,于前述下基板之内侧面之前述反射显示范围,由基板侧依序设置反射层,相位差层,于施加选择电压时或是施加非选择电压时之任一者时,前述透过显示范围之前述液晶层之相位差比前述反射显示范围之前述液晶层之相位差更大。2.如申请专利范围第1项所记载的液晶显示装置,其中,前述透过显示范围之前述液晶层之厚度比前述反射显示范围之前述液晶层之厚度更大。3.如申请专利范围第2项所记载的液晶显示装置,其中,前述相位差层,对于透过光赋予约1/4波长之相位差者,前述透过显示范围之前述液晶层之厚度为前述反射显示领域之前述液晶层之厚度约2倍,施加选择电压时或是施加非选择电压时之任一者之前述液晶层之相位之偏移,在前述反射显示范围为略0,在前述透过显示范围为约0的同时,另一方之前述液晶层之相位之偏移,则在前述反射显示范围为约1/4波长,在前述透过显示范围为约1/2波长。4.如申请专利范围第1项至第3项中任一项所记载的液晶显示装置,其中,前述相位差层是由高分子液晶所形成。5.如申请专利范围第4项所记载的液晶显示装置,其中,于前述相位差层上设置绝缘层。6.如申请专利范围第2项或第3项所记载的液晶显示装置,其中,于前述相位差层上,于前述透过显示范围与前述反射显示范围,设置为调整前述液晶层之层厚的液晶层厚调整层。7.如申请专利范围第2项或第3项所记载的液晶显示装置,其中,前述相位差层,乃于前述透过显示范围与前述反射显示范围,做为为调整前述液晶层之层厚之液晶层厚调整层而作用者。8.如申请专利范围第1项至第3项中任一项所记载的液晶显示装置,其中,前述上基板之平磨轴与前述上偏光板之透过轴为垂直或平行,前述液晶层之液晶分子,于施加非选择电压时,于前述上基板与下基板间扭转呈90。9.如申请专利范围第8项所记载的液晶显示装置,其中,前述反射显示范围之前述液晶层之相位差为130nm以上,340nm以下。10.如申请专利范围第1项至第3项中任一项所记载的液晶显示装置,其中,于前述下偏光板外侧面,设置具有与前述下偏光板之透过光轴略平行之透过轴之反射偏光板。11.一种液晶显示装置之制造方法,属于如申请专利范围第1项所记载的液晶显示装置之制造方法,其特征系具有于相当于前述下基板上之前述反射显示范围之范围形成反射层的工程,和依序形成高分子液晶层,感光性树脂层后,使用微缩术法,将前述感光性树脂层图案化,将图案化之感光性树脂层做为光罩,蚀刻前述高分子液晶层,经由局部残留前述高分子液晶层,于前述反射层上方形成前述高分子层所成相位差层的工程。12.一种液晶显示装置之制造方法,属于如申请专利范围第1项所记载的液晶显示装置之制造方法,其特征系具有于相当于前述下基板上之前述反射显示范围之范围形成反射层的工程,和形成自液晶性单体所成层后,使用微缩术法,将前述液晶单体之局部光聚合,经由形成液晶单体聚合物,于前述反射层上方,形成前述液晶单体聚合物所成相位差层的工程。13.如申请专利范围第12项所记载的液晶显示装置之制造方法,其中,经由形成前述相位差层后,形成感光性树脂层,使用微缩术,图案化前述感光性树脂层,于前述相位差层之上方残留感光性树脂层者。14.一种电子机器,其特征系具备有如申请专利范围第1项至第10项中任一项所记载的液晶显示装置。图式简单说明:第1图系显示本发明的第1实施形态的液晶显示装置的概略构成截面图。第2图系显示为说明相同液晶显示装置的显示原理图,仅显示于原理说明所需构成要素图。第3图系显示本发明第2实施形态的液晶显示装置的概略构成截面图。第4图系显示关于本发明电子机器一例的斜视图。第5图系显示关于本发明电子机器其他例之斜视图。第6图系显示关于本发明电子机器其他例的斜视图。第7图系显示以往液晶显示装置一例之概略构成截面图。第8图系显示为说明相同液晶显示装置的显示原理图,仅显示原理的说明所需构成要素图。第9图系显示本发明第3实施形态的液晶显示装置的概略构成截面图。第10图系显示本发明的第4实施形态的液晶显示装置概略构成截面图。第11图系显示本发明其他的实施形态的液晶装置概略构成截面图。第12图系显示本发明其他的实施形态的液晶显示装置的概略构成截面图。第13图系显示本发明液晶显示装置之反射显示范围nd和反射率相关的关系延迟结果。 |
