| 主权项 |
1.一种有机发光二极体装置,其包括:一基材;一形成于该基材上之第一电极;一形成于该基材上之有机电致发光功能层;一形成为与该功能层相邻之沟渠图案;及一形成于该功能层及该沟渠图案上之第二电极层。2.如申请专利范围第1项之有机电致发光装置,其中该功能层系含有聚合物及寡聚物中任一种,其各具有胺衍生物结构。3.如申请专利范围第1项之有机电致发光装置,其中该功能层之区域中含有不同类型之掺杂剂,该区域系彼此相邻,而藉沟渠图案边壁间隔。4.如申请专利范围第1至3项中任一项之有机电致发光装置,其中该功能层中位于形成该沟渠图案之边壁下方的掺杂浓度系低于其他部分。5.一种制造有机发光二极体装置之方法,该方法系包括下列步骤:于一基材上形成一第一电极;于该电极上形成一有机电致发光功能层及一沟渠图案;及于该功能层及该沟渠图案上形成一第二电极层。6.如申请专利范围第5项之制造方法,其中形成功能层及沟渠图案之步骤系包括下列步骤:形成该功能层;于该功能层上形成一光阻层;及将该光阻层图案化成为该沟渠图案。7.如申请专利范围第5项之制造方法,其尚包括沿着该沟渠图案导入至少一第二功能层之步骤,该第二功能层系具有异于该功能层组成之组成。8.如申请专利范围第5项之制造方法,其尚包括藉着沿该沟渠图案提供掺杂剂溶液而进行功能层之掺杂的步骤。9.如申请专利范围第8项之制造方法,其中该藉提供掺杂剂溶液使功能层进行掺杂之步骤系包括下列步骤:沿该沟渠图案提供掺杂剂溶液;及藉由加热该功能层将该掺杂剂分散于该功能层内。10.如申请专利范围第8项之制造方法,其中该进行掺杂之步骤系包括于该功能层之区域中提供不同类型之掺杂剂的步骤,该区域系藉沟渠图案边壁间隔。图式简单说明:图1系为说明本发明有机EL显示装置之透视图。图2系为沿箭号B-B说明图1所示之有机EL显示装置的剖面图。图3(a)至3(c)系为部分出示本发明有机EL显示装置之制造方法的视图。图4(a)及4(b)系为部分出示本发明有机EL显示装置之制造方法的视图。图5系为详细说明本发明有机EL显示装置的透视图。图6系为说明本发明有机EL显示装置之另一具体实例的视图。图7系为显示本发明有机EL显示装置之掺杂图案的视图。图8系为显示藉压印所得之掺杂图案的视图。 |
