| 主权项 |
1.一种金属-绝缘体-金属(MIM)电容,包含有:一第一金属层;一第一电容介电层,设于该第一金属层上;一第二金属层,叠设于该第一电容介电层上,其中该第一金属层、该第一电容介电层及该第二金属层构成一下电容结构;一第二电容介电层,设于该第二金属层上;以及一第三金属层,叠设于该第二电容介电层上,其中该第二金属层、该第二电容介电层及该第三金属层构成一上电容结构;其中该第一金属层及该第三金属层电连接该MIM电容之第一电容端点,而该第二金属层则电连接该MIM电容之第二电容端点。2.如申请专利范围第1项所述之MIM电容,其中该第二金属层之面积小于该第一金属层之面积。3.如申请专利范围第1项所述之MIM电容,其中该第三金属层之面积小于该第二金属层之面积。4.如申请专利范围第1项所述之MIM电容,其中该第一电容介电层系为PECVD介电层。5.如申请专利范围第1项所述之MIM电容,其中该第二电容介电层系为PECVD介电层。6.如申请专利范围第1项所述之MIM电容,其中该第二金属层之厚度小于该第一金属层之厚度。7.如申请专利范围第6项所述之MIM电容,其中该第二金属层之厚度约为1000埃。8.如申请专利范围第6项所述之MIM电容,其中该第二金属层包含有钛金属。9.一种制作金属-绝缘体-金属(MIM)电容之方法,包含有:提供一基底;于该基底上依序形成一第一金属层、第一电容介电层、第二金属层、第二电容介电层、第三金属层以及顶盖层;蚀刻该顶盖层、该第三金属层、该第二电容介电层、该第二金属层以及该第一电容介电层直到暴露出该第一金属层,藉此形成一由该第三金属层、该第二电容介电层与该第二金属层所构成之上电容结构;以一光阻覆盖部分之该上电容结构,且该光阻定义出该第一金属层即将形成一下电容结构之电极板形状图案;蚀刻未被该光阻覆盖之该第一金属层以及该顶盖层、该第三金属层与该第二电容介电层;以及去除该光阻。10.如申请专利范围第9项所述之制作MIM电容之方法,其中该第二金属层之厚度小于该第一金属层之厚度。11.如申请专利范围第10项所述之制作MIM电容之方法,其中该第二金属层之厚度约为1000埃,该第一金属层之厚度约为5000埃。12.如申请专利范围第9项所述之制作MIM电容之方法,其中该第一、第二电容介电层皆为PECVD介电层。图式简单说明:图一为本发明较佳实施例MIM电容结构之剖面示意图。图二至图十一以剖面示意本发明制作图一中MIM电容结构之方法。 |
