发明名称 氮化镓系发光二极体之金属反射层制作方法
摘要 对于使用蓝宝石基板之氮化镓系发光二极体,一种于此发光二极体无磊晶成长之一侧形成一金属反射层之方法。形成此金属反射层之步骤包括:先将蓝宝石基板无磊晶成长之一侧研磨并抛光至一特定厚度;将此抛光后之此侧以电浆离子予以表面处理;再以电子束蒸镀法于此侧形成一特定厚度之金属反射层。此金属反射层可将穿透蓝宝石基板之光线反射至此发光二极体有磊晶成长之一侧以增加此发光二极体之发光效率。
申请公布号 TWI232604 申请公布日期 2005.05.11
申请号 TW093122106 申请日期 2004.07.23
申请人 炬鑫科技股份有限公司 发明人 赖穆人;孙雪峰;杨师明
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 洪尧顺 台北市内湖区行爱路176号3楼
主权项 1.一种氮化镓系发光二极体之金属反射层制作方法,此氮化镓系发光二极体之一晶圆系以蓝宝石为基板,于此蓝宝石基板之一第二表面,依序从下而上分别磊晶形成一氮化镓缓冲层、一N型氮化镓欧姆接触层、一氮化铟镓发光层、一P型氮化铝镓披覆层、以及一P型氮化镓欧姆接触层,再将部份之该N型氮化镓欧姆接触层、该氮化铟镓发光层、该P型氮化铝镓披覆层、以及该P型氮化镓欧姆接触层移除以暴露出该N型氮化镓欧姆接触层之一部份表面,接着,形成一透光导电层于该P型氮化镓欧姆接触层之上方,再于该透光导电层与该N型氮化镓欧姆接触层之该部份表面之上分别形成一正电极衬垫与一负电极衬垫。于此,已完成该晶圆上具有复数个氮化镓系发光二极体晶粒;此金属反射层制作方法,系在该复数个晶粒形成后进行,其步骤包含有:(1)将该蓝宝石基板与该第二表面相对、无磊晶成长之一第一表面研磨并抛光至一第一厚度;(2)以一电浆离子将该第一表面予以表面处理;(3)在表面处理后之该第一表面上,相对于该第二表面有磊晶成长之区域,镀上一具有一第二厚度之金属反射层;以及(4)从该蓝宝石基板之该第二表面侧,将该个别之晶粒从该晶圆上切割分离而完成个别之发光二极体。2.如专利申请范围第1项所述之氮化镓系发光二极体之金属反射层制作方法,其中,该第一厚度系介于80~200m之间。3.如专利申请范围第1项所述之氮化镓系发光二极体之金属反射层制作方法,其中,该电浆离子系选自氧(O2)电浆离子或氩(Argon)电浆离子其中之一。4.如专利申请范围第1项所述之氮化镓系发光二极体之金属反射层制作方法,其中,该第二厚度系介于500~4000之间。5.如专利申请范围第1项所述之氮化镓系发光二极体之金属反射层制作方法,其中,该金属反射层之材质系选自银(Ag)、铝(Al)、与铑(Rh)其中之一。6.如专利申请范围第1项所述之氮化镓系发光二极体之金属反射层制作方法,其中,该金属反射层之材质系选自银(Ag)、铝(Al)、与铑(Rh)其中之一与钛(Ti)、金(Au)、与铟(In)其中之一所构成之合金。7.一种氮化镓系发光二极体之金属反射层制作方法,此氮化镓系发光二极体之一晶圆系以蓝宝石为基板,于此蓝宝石基板之一第二表面,依序从下而上分别磊晶形成一氮化镓缓冲层、一N型氮化镓欧姆接触层、一氮化铟镓发光层、一P型氮化铝镓披覆层、以及一P型氮化镓欧姆接触层,再将部份之该N型氮化镓欧姆接触层、该氮化铟镓发光层、该P型氮化铝镓披覆层、以及该P型氮化镓欧姆接触层移除以暴露出该N型氮化镓欧姆接触层之一部份表面,接着,形成一透光导电层于该P型氮化镓欧姆接触层之上方,再于该透光导电层与该N型氮化镓欧姆接触层之该部份表面之上分别形成一正电极衬垫与一负电极衬垫。于此,已完成该晶圆上具有复数个氮化镓系发光二极体晶粒;此金属反射层制作方法,系在该复数个晶粒形成后进行,其步骤包含有:(1)将该蓝宝石基板与该第二表面相对、无磊晶成长之一第一表面研磨并抛光至一第一厚度;(2)以一电浆离子将该第一表面予以表面处理;(3)在表面处理后之该第一表面上,相对于该第二表面有磊晶成长之区域,以光罩蚀刻技术定义出相对之复数个切割走道,接着镀上一具有一第二厚度之金属反射层,再以金属剥离技术将该复数个切割走道上之该金属反射层去除;以及(4)从该蓝宝石基板之该第一表面侧,将该个别之晶粒从该晶圆上切割分离而完成个别之发光二极体。8.如专利申请范围第7项所述之氮化镓系发光二极体之金属反射层制作方法,其中,该第一厚度系介于80~200m之间。9.如专利申请范围第7项所述之氮化镓系发光二极体之金属反射层制作方法,其中,该电浆离子系选自氧(O2)电浆离子或氩(Argon)电浆离子其中之一。10.如专利申请范围第7项所述之氮化镓系发光二极体之金属反射层制作方法,其中,该第二厚度系介于500~4000之间。11.如专利申请范围第7项所述之氮化镓系发光二极体之金属反射层制作方法,其中,该金属反射层之材质系选自银(Ag)、铝(Al)、与铑(Rh)其中之一。12.如专利申请范围第7项所述之氮化镓系发光二极体之金属反射层制作方法,其中,该金属反射层之材质系选自银(Ag)、铝(Al)、与铑(Rh)其中之一与钛(Ti)、金(Au)、与铟(In)其中之一所构成之合金。图式简单说明:第一图系传统结构之氮化镓系发光二极体之结构示意图。第二图系依据先前技术改善发光效率之氮化镓系发光二极体之结构示意图。第三图系依据本发明形成金属反射层之氮化镓系发光二极体之结构示意图。第四A、B、C、D图系分别说明本发明之一实施例之各个步骤,以形成一金属反射层于一依照习知技术形成个别氮化镓系发光二极体晶粒之晶圆,以及最后将该各个晶粒与此晶圆分离之示意图。第五A、B、C、D图系分别说明本发明之另一实施例之各个步骤,以形成一金属反射层于一依照习知技术形成个别氮化镓系发光二极体晶粒之晶圆,以及最后将该各个晶粒与此晶圆分离之示意图。
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