| 主权项 |
1.一种具有一导电类型之一半导体基板之影像检取元件,该半导体基板包括至少:一光接收部分(13),其系用于将一入射于一光接收表面上的光转换成一电荷;一电荷读出部分(23),其系用于读出藉由该光接收部分所产生的该电荷;以及一电荷转移部分(15),其系用于输出藉由该电荷读出部分所读出的该电荷,该影像检取元件(100)的特征为提供:一非掺杂区域(A),其系位于该光接收部分之该光接收表面内,远离该电荷读出部分之一侧上一边界线,并且在该非掺杂区域(A)中未掺杂一用于识别该电荷读出部分之临界値的第一杂质;以及一由该第一杂质所制成的层,该层至少位于该光接收部分之该光接收表面内除该非掺杂区域外的一掺杂区域中、该电荷转移部分中以及该电荷读出部分中。2.如申请专利范围第1项之影像检取元件,其中该由该第一杂质所制成的层位于该光接收部分(13)之该光接收表面内除该非掺杂区域(A)外的一掺杂区域中,以及位于除该光接收部分之外的该光接收部分外部的一区域中。3.如申请专利范围第1项之影像检取元件,其中关于未掺杂该第一杂质之该非掺杂区域以及关于该第一杂质之该掺杂区域,仅掺杂一必要量不同于该第一杂质之一导电类型的一第二杂质而形成该光接收部分(13),且用于使该非掺杂区域(A)充当该光接收部分。4.如申请专利范围第2项之影像检取元件,其中关于未掺杂该第一杂质之该非掺杂区域以及关于该第一杂质之该掺杂区域,仅掺杂一必要量不同于该第一杂质之一导电类型的一第二杂质而形成该光接收部分(13),且用于使该非掺杂区域(A)充当该光接收部分。5.一种用于制造具有一导电类型之一半导体基板的影像检取元件之方法,该半导体基板包括至少:一光接收部分(13),其系用于将一入射于一光接收表面上的光转换成一电荷;一电荷读出部分(23),其系用于读出藉由该光接收部分所产生的该电荷;以及一电荷转移部分(15),其系用于输出藉由该电荷读出部分所读出的该电荷,其特征为该方法包含一形成步骤:至少在该光接收部分之该光接收表面内除该非掺杂区域(A)之外的一掺杂区域中,以及在该电荷读出部分中,形成一由一第一杂质所制成的层,用于识别该电荷读出部分的临界値,其中该非掺杂区域位于该光接收部分之该光接收表面内,远离该电荷读出部分之一侧上的一边界线,并禁止该第一杂质之掺杂。6.如申请专利范围第5项之方法,其中在形成该由该第一杂质所制成的层之步骤中,该由该第一杂质所制成的层系形成于该光接收部分(13)之该光接收表面内除该非掺杂区域(A)之一掺杂区域中,以及除该光接收部分外的该光接收部分外的一区域中。7.如申请专利范围第5项之方法,其进一步包含一掺杂步骤:作为一形成该光接收部分之步骤,关于未掺杂该第一杂质的该非掺杂区域以及关于该第一杂质的该掺杂区域,仅掺杂一必要量不同于该第一杂质之一导电类型的一第二杂质,且用于使该非掺杂区域(A)充当该光接收部分(13)。8.如申请专利范围第6项之方法,其进一步包含一掺杂步骤:作为一形成该光接收部分之步骤,关于未掺杂该第一杂质的该非掺杂区域以及关于该第一杂质的该掺杂区域,仅掺杂一必要量不同于该第一杂质之一导电类型的一第二杂质,且用于使该非掺杂区域(A)充当该光接收部分(13)。图式简单说明:图1系一显示根据本发明一项具体实施例之影像检取元件之结构的断面图。图2A至2E系显示用于制造图1之影像检取元件之步骤的视图。图3A系图1之影像检取元件在其制造时的俯视图。图3B系图1之影像检取元件之俯视图,说明藉由一第一闸极电极与一第二闸极电极所切断之光接收部分区域。图4系一显示根据先前技术之影像检取元件之结构的断面图。 |
