| 主权项 |
1.一种遮罩,适于覆盖在一晶圆之上,以作为一制程设备在调整制程参数时之遮罩,该遮罩具有一开口,暴露出该晶圆的部分表面,其中藉由改变该开口与该晶圆之相对位置,以使该遮罩之该开口暴露出该晶圆之其他表面。2.如申请专利范围第1项所述之遮罩,更包括一遮罩定位片,具有多数个开口区域,而该遮罩之该开口适于通过每一该些开口区域。3.如申请专利范围第1项所述之遮罩,其中该开口系为一扇形开口。4.如申请专利范围第1项所述之遮罩,其中该开口系为一三角形开口。5.如申请专利范围第1项所述之遮罩,其中该开口系为一圆形开口。6.如申请专利范围第1项所述之遮罩,其中该开口系为一梯形开口。7.一种半导体制程设备,适于调整不同的制程参数于一晶圆上,该半导体制程设备至少包括:一制程设备,用以调整制程参数;一遮罩,设置于该制程设备与该晶圆之间,该遮罩具有一开口,其暴露出该晶圆之部分表面;以及一遮罩旋转架,用以承载该遮罩,并使该遮罩之该开口环绕于该晶圆之上,其中藉由改变该开口与该晶圆之相对位置,以使该遮罩之该开口暴露出该晶圆之其他表面。8.如申请专利范围第7项所述之半导体制程设备,其中该制程设备系为一乾蚀刻设备。9.如申请专利范围第7项所述之半导体制程设备,其中该制程设备系为一离子植入设备。10.如申请专利范围第7项所述之半导体制程设备,其中该制程设备系为一曝光设备。11.如申请专利范围第7项所述之半导体制程设备,其中该开口系为一扇形开口。12.如申请专利范围第7项所述之半导体制程设备,其中该开口系为一三角形开口。13.如申请专利范围第7项所述之半导体制程设备,其中该开口系为一圆形开口。14.如申请专利范围第7项所述之半导体制程设备,其中该开口系为一梯形开口。15.一种利用晶圆之部分表面以进行参数设定的方法,适于在一晶圆上进行不同的参数设定,该利用晶圆之部分表面以进行参数设定的方法至少包括:提供一遮罩,该遮罩具有一开口;暴露出该晶圆之部分表面于该开口中;以及改变该遮罩之该开口与该晶圆之相对位置,以使该开口依序暴露出该晶圆之其他表面。16.如申请专利范围第15项所述之利用晶圆之部分表面以进行参数设定的方法,更包括以一制程设备来调整不同的参数设定。图式简单说明:第1以及2图分别绘示本发明一较佳实施例之一种利用晶圆之部分表面进行参数设定之方法的流程示意图。第3以及4图分别绘示本发明另一较佳实施例之一种遮罩的示意图。 |
