改良之深沟槽结构及具有此深沟槽结构之记忆体装置

摘要

揭示一种半导体记忆体装置之深沟槽结构。根据本发明之深沟槽其横截面系连通半导体记忆体装置之分别与两条相邻的位元线连接的两个不同的主动区。

主权项

1.一种半导体装置之深沟槽结构,该半导体装置系具有复数个主动区,该结构之特征在于该深沟槽系连通两个不同的主动区。2.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该深沟槽之横截面系连通两个不同的主动区。3.如申请专利范围第2项所述之深沟槽结构,其中该深沟槽所连通的两个不同的主动区系分别连接两条相邻之不同位元线。4.一种半导体记忆体装置,包含有:复数条位元线;复数条闸极,该等闸极系与该等位元线相交;复数个主动区,其分别与其中一条位元线连接;复数个深沟槽,其中至少一个深沟槽系连通两个不同的主动区。5.如申请专利范围第4项所述之半导体记忆体装置,其中该深沟槽之横截面系连通两个不同的主动区。6.如申请专利范围第5项所述之半导体记忆体装置,其中该深沟槽所连通的两个不同的主动区系分别连接两条相邻之不同位元线。图式简单说明:图1系显示具有根据本发明之深沟槽结构之半导体记忆体装置俯视示意图;以及图2系显示沿图1之虚线折线AA所取之纵剖面式意图。