| 主权项 |
1.一种转印用光罩的制造方法,系在包括:基板准备制程,系准备一基板,具有藉由背面蚀刻加工加以形成支持一薄膜层之一支持体,在该基板上所形成之一蚀刻终止层及在该蚀刻终止层上所形成之一薄膜层;基板背面蚀刻加工制程,系在该基板背面进行蚀刻加工;光阻层形成制程,系在该薄膜层上形成一光阻层;光阻图案形成制程,系对该光阻层使所定之一光罩图案以曝光显像加以形成一光阻图案;以及光罩图案形成制程,系藉由使用该光阻图案之蚀刻在该薄膜层加以形成一光罩图案;等等制程之转印用光罩的制造方法,其特征在于更再包括:应力控制层形成制程,系在该光阻层之形成前,在该薄膜层上形成一应力控制层,加以抵消在光罩的制造制程所产生之该薄膜层的应力变化;以及蚀刻制程,系使该应力控制层,以与该光罩图案之形成一起加以蚀刻。2.如申请专利范围第1项所述之转印用光罩的制造方法,其特征在于,在该薄膜层形成该光罩图案后,具有使该应力控制层加以去除的制程。3.如申请专利范围第1项或第2项所述之转印用光罩的制造方法,其特征在于,该应力控制层,系从无定形碳、DLC、SiOx、SiOxNY所选择之材料加以构成。4.一种转印用光罩基板,系有支持一薄膜层之一支持体,在该支持体上所形成之蚀刻终止层及在该蚀刻终止层上所形成之该薄膜层的转印用光罩基板,其特征在于包括:一应力控制层,系在该薄膜层上,使在光罩的制造制程所产生之该薄膜层的应力变化加以抵消。图式简单说明:第1图,系习知转印光罩之制造制程图。第2图,系习知转印光罩之制造制程图。第3图,系本发明与习知例,表示在各制造制程之应力变化图。第4图,系对本发明与习知例,表示对全应力变化之光罩图案的位置偏离图。第5图,系关于实施例1之转印光罩的制造制程图。第6图,系关于实施例2之转印光罩的制造制程图。第7图,系关于实施例3之转印光罩的制造制程图。第8图,系关于实施例4之转印光罩的制造制程图。第9图,系表示在实施例1~实施例4之各膜的应力图。 |
