| 主权项 |
1.一种多晶粒发光模组之封装结构,其包括:一导线架,设有至少一容置槽,该容置槽内设有一反光区;复数晶粒,其设置于该容置槽上;至少二焊线,经由打线方式,以与该导线架及该晶粒连接;以及一透明胶,系以包覆着该导线架之容置槽、该晶粒及该焊线,而于该导线架上方形成上包覆层,于该导线架下方形成下包覆层。2.如申请专利范围第1项所述之多晶粒发光模组之封装结构,其中,该容置槽内壁为凹透镜状。3.如申请专利范围第1项所述之多晶粒发光模组之封装结构,其中,更包括一萤光胶覆盖于该容置槽,且包覆着该晶粒与该焊线而成凸透镜状。4.如申请专利范围第1项所述之多晶粒发光模组之封装结构,其中,该晶粒设置于容置槽内底面上且依容置槽几何形状排列。5.如申请专利范围第1项所述之多晶粒发光模组之封装结构,其中,该晶粒系以导电胶黏固于容置槽内底面。6.如申请专利范围第1项所述之多晶粒发光模组之封装结构,其中,该容置槽底面为一平面状。7.如申请专利范围第1项所述之多晶粒发光模组之封装结构,其中,该导线架为一金属材质者。8.如申请专利范围第1项所述之多晶粒发光模组之封装结构,其中,该透明胶为环氧树脂。9.如申请专利范围第1项所述之多晶粒发光模组之封装结构,其中,该导线架之容置槽为凹状,该晶粒设置于该容置槽内底面。10.如申请专利范围第1项所述之多晶粒发光模组之封装结构,其中,该导线架上之容置槽为凸状,该晶粒设置于该容置槽表面上。11.如申请专利范围第9项所述之多晶粒发光模组之封装结构,其中,该导线架之容置槽为凹状,其上包覆层为平面状。12.如申请专利范围第9项所述之多晶粒发光模组之封装结构,其中,该导线架之容置槽为凹状,该下包覆层为平面状或包覆着导线架之容置槽且于容置槽背面裸露。13.如申请专利范围第10项所述之多晶粒发光模组之封装结构,其中,该导线架上之容置槽为凸状,其上包覆层为弧状,下包覆层为平面状。14.如申请专利范围第1项所述之多晶粒发光模组之封装结构,其中,该导线架与该晶粒连接方式,系采用单晶粒单点连接或复数晶粒单点连接。15.如申请专利范围第1项所述之多晶粒发光模组之封装结构,其中,该多晶粒发光模组之封装结构的产品包括一针通孔式(Dual In-line Package,DIP)产品或一表面黏着式(Small Outline Package,SOP)产品。16.如申请专利范围第1项所述之多晶粒发光模组之封装结构,其中,该反光区为容置槽内壁及底面,且该反光区为导电及反光之金属电镀而成。图式简单说明:第一图为习知技艺之单颗晶粒发光模组之封装结构。第二a图为本创作之导线架之俯视图。第二b图为本创作之导线架之侧视图。第三a图为椭圆公式。第三b图为容置槽底面设置于椭圆焦距点F上。第三c图为容置槽的角度。第四a图为容置槽容纳四颗晶粒。第四b图为容置槽容纳八颗晶粒。第四c图为容置槽容纳十二颗晶粒。第四d图为容置槽容纳十六颗晶粒。第五a图为本创作之多晶粒发光模组之封装结构第一实施例结构示意图,其为针通孔式产品。第五b图为本创作之多晶粒发光模组之封装结构第一实施例结构示意图,其为表面黏着式产品。第六a图为本创作之晶粒与导线架连接方式,其为单晶粒单点连接。第六b图为本创作之晶粒与导线架连接方式,其为复数晶粒单点连接。第七a图为本创作之多晶粒发光模组之封装结构第二实施例结构示意图,其为针通孔式产品。第七b图为本创作之多晶粒发光模组之封装结构第二实施例结构示意图,其为表面黏着式产品。第八a图为本创作之多晶粒发光模组之封装结构第三实施例结构示意图,其为针通孔式产品。第八b图为本创作之多晶粒发光模组之封装结构第三实施例结构示意图,其为表面黏着式产品。第九图为本创作之多晶粒发光模组之面积大小。 |
