| 主权项 |
1.一种曝光对位方法,至少包括:提供一基板,其中该基板系包含覆盖一材料层于一裸基板;形成至少一对准标记于该基板上;利用该对准标记进行对准步骤;以及在该材料层上依序形成复数个曝光区域。2.如申请专利范围第1项所述之曝光对位方法,其中该裸基板系一透明玻璃基板。3.如申请专利范围第1项所述之曝光对位方法,其中该对准标记系形成于该材料层上。4.如申请专利范围第1项所述之曝光对位方法,其中该对准标记系形成于该裸基板上。5.如申请专利范围第1项所述之曝光对位方法,其中该材料层之材质为光阻。6.如申请专利范围第1项所述之曝光对位方法,其中该材料层系一黑色矩阵层(BM Layer)。7.如申请专利范围第6项所述之曝光对位方法,其中该材料层之材质为树脂。8.如申请专利范围第6项所述之曝光对位方法,其中该材料层之材质为铬(Cr)。9.如申请专利范围第8项所述之曝光对位方法,进行该些曝光步骤前,更至少包括形成一光阻层覆盖在该材料层上。10.如申请专利范围第1项所述之曝光对位方法,其中形成该对准标记之步骤系利用雷射移除部分之该材料层。11.如申请专利范围第1项所述之曝光对位方法,其中形成该对准标记之步骤系利用雷射移除部分之该裸基板。12.如申请专利范围第1项所述之曝光对位方法,其中形成该些曝光区域之步骤系在一曝光机中进行。13.如申请专利范围第1项所述之曝光对位方法,其中形成该些曝光区域之步骤系在复数个曝光机中进行。14.如申请专利范围第1项所述之曝光对位方法,其中形成该些曝光区域之步骤使用复数个光罩。15.如申请专利范围第1项所述之曝光对位方法,其中形成该些曝光区域之步骤使用一光罩。16.一种标记设备,至少包括:适于定位一裸基板之一平台;以及一标记装置系适于形成至少一对准标记于该裸基板之表面上之一材料层,其中该对准标记系适于进行复数个曝光步骤,藉以在该材料层上依序形成复数个曝光区域之对准。17.如申请专利范围第16项所述之标记设备,其中该材料层之材质为光阻。18.如申请专利范围第16项所述之标记设备,其中该材料层系一黑色矩阵层。19.如申请专利范围第18项所述之标记设备,其中该材料层之材质为树脂。20.如申请专利范围第18项所述之标记设备,其中该材料层之材质为铬。21.如申请专利范围第16项所述之标记设备,其中该标记装置至少包括一雷射元件,该雷射元件适用以移除部分之该材料层而形成该对准标记。22.如申请专利范围第16项所述之标记设备,其中该标记设备与一曝光机台连接23.如申请专利范围第16项所述之标记设备,其中该标记设备与复数个曝光机台连接。24.一种曝光对位方法,适用于制作液晶显示元件,该曝光对位方法至少包括:提供一裸基板;形成一黑色矩阵层覆盖在该裸基板上;形成复数个对准标记于该黑色矩阵层中;以及利用该些对准标记进行复数个曝光步骤,藉以在该黑色矩阵层上依序形成复数个曝光区域,其中该些曝光区域具有复数个尺寸。25.如申请专利范围第24项所述之曝光对位方法,其中该裸基板系一透明玻璃基板。26.如申请专利范围第24项所述之曝光对位方法,其中该黑色矩阵层之材质为光阻。27.如申请专利范围第24项所述之曝光对位方法,其中该黑色矩阵层之材质为树脂。28.如申请专利范围第24项所述之曝光对位方法,其中该黑色矩阵层之材质为铬。29.如申请专利范围第28项所述之曝光对位方法,进行该些曝光步骤前,更至少包括形成一光阻层覆盖在该黑色矩阵层上。30.如申请专利范围第24项所述之曝光对位方法,其中形成该些对准标记之步骤系利用雷射移除部分之该黑色矩阵层。31.如申请专利范围第24项所述之曝光对位方法,其中该些曝光步骤系在一曝光机中进行。32.如申请专利范围第24项所述之曝光对位方法,其中该些曝光步骤系在复数个曝光机中进行。33.如申请专利范围第24项所述之曝光对位方法,其中该些曝光步骤使用复数个光罩。34.如申请专利范围第33项所述之曝光对位方法,其中该些对准标记之数量为该些光罩之数量的2倍。35.如申请专利范围第24项所述之曝光对位方法,其中该些对准标记之数量为2。36.如申请专利范围第24项所述之曝光对位方法,其中该些对准标记之数量为4。图式简单说明:第1图系绘示习知第一道图案化程序之流程图。第2图系绘示依照本发明一较佳实施例的一种第一道图案化程序之流程图。第3图系绘示依照本发明一较佳实施例的一种标记设备之示意图。第4图系绘示依照本发明一较佳实施例的一种对准标记之设置示意图。第5图系绘示依照本发明另一较佳实施例的一种对准标记之设置示意图。第6图系绘示第5图之对准标记之剖面图。第7图至第9图系绘示依照本发明一较佳实施例的一种曝光对位程序之制程上视图。 |
