发明名称 光子晶体有机发光元件
摘要 以一种周期性结构应用于有机发光元件上增加光输出效率,系于元件之发光侧或发光输出面增加周期性凹凸结构,此周期性结构具光子晶体之特性,有机发光元件系由光子晶体结构之透明基板、有机发光元件所形成,于透明基板之上表面形成周期性凹凸结构,有机发光元件设置于透明基板的上表面,凹凸结构之周期依照光学设计可具有两种以上周期,同时于周期性凹凸结构上更包含复制堆叠多层薄膜,根据不同的功能设计可为修整层、平坦层及高低折射率交错之多层薄膜结构任意组合。
申请公布号 TWI232701 申请公布日期 2005.05.11
申请号 TW093123232 申请日期 2004.08.03
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 石志聪;黄承扬;李裕正
分类号 H05B33/00 主分类号 H05B33/00
代理机构 代理人
主权项 1.一种光子晶体有机发光元件,其包含有:一透明基板,其上表面形成具有两种以上周期之一凹凸结构,该凹凸结构为二维排列之光子晶体;一修整层,设置于该透明基板的上表面;一平坦层,置于修整层之上;一透明电极,置于该平坦层上表面;一有机电激发光膜堆,堆叠于该透明电极上;及一负极电极,设置于该有机电激发光膜堆上,使该透明电极与该负极电极于通电时可激发该有机电激发光膜堆发出光线。2.如申请专利范围第1项所述之光子晶体有机发光元件,其中该凹凸结构系以三角晶格(triangular)、四角晶格(square)、六角晶格(hexagonal)及其混合型式其中之一型态排列。3.如申请专利范围第1项所述之光子晶体有机发光元件,其中该透明基板上表面分为一内部区域与一外部区域,该内部区域的该凹凸结构周期大于该外部区域的该凹凸结构周期。4.如申请专利范围第1项所述之光子晶体有机发光元件,其中该修整层系为锯齿状。5.如申请专利范围第1项所述之光子晶体有机发光元件,其中该修整层系为波浪状。6.一种光子晶体有机发光元件,其包含有:一透明基板,其上表面形成一周期性凹凸结构,该周期性凹凸结构为二维排列之光子晶体;一复制堆叠膜,形成于该周期性凹凸结构上,该复制堆叠膜根据该周期性凹凸结构产生周期性的起伏;一透明电极,设置于该复制堆叠膜的上表面;一有机电激发光膜堆,堆叠于该透明电极上;及一负极电极,置于该有机电激发光膜堆上,使该透明电极与该负极电极于通电时可激发该有机电激发光膜堆发出光线。7.如申请专利范围第6项所述之光子晶体有机发光元件,其中该周期性凹凸结构系以三角晶格(triangular)、四角晶格(square)、六角晶格(hexagonal)及其混合型式其中之一型态排列。8.如申请专利范围第6项所述之光子晶体有机发光元件,其中该周期性凹凸结构系具有两种以上的周期。9.如申请专利范围第6项所述之光子晶体有机发光元件,其中该透明基板上表面分为一内部区域与一外部区域,该内部区域的该周期性凹凸结构周期大于该外部区域的该周期性凹凸结构周期。10.如申请专利范围第6项所述之光子晶体有机发光元件,其中该复制堆叠层系包含一平坦层。11.如申请专利范围第6项所述之光子晶体有机发光元件,其中该复制堆叠层系包含一高低折射率交错结构。12.如申请专利范围第6项所述之光子晶体有机发光元件,其中该复制堆叠层系包含一修整层。13.如申请专利范围第12项所述之光子晶体有机发光元件,其中该修整层系为锯齿状。14.如申请专利范围第12项所述之光子晶体有机发光元件,其中该修整层系为波浪状。15.如申请专利范围第12项所述之光子晶体有机发光元件,其中该复制堆叠层系包含一高低折射率交错结构,系根据该修整层之形状而自动复制。16.如申请专利范围第15项所述之光子晶体有机发光元件,其中该高低折射率交错结构可选自无机材料、有机材料或其混合材料之组合其中之一。17.如申请专利范围第16项所述之光子晶体有机发光元件,其中该高低折射率交错结构系选自氧化钽(Ta2O5)层/氧化矽(SiO2)层、氧化钛(TiO2)层/氧化矽(SiO2)层及氧化铌(Nb2O5)层/氧化矽(SiO2)层之组合其中之一。18.一种光子晶体有机发光元件,其包含有:一有机发光元件,系包含一透明电极、一负极电极与一有机电激发光膜堆,该透明电极与该负极电极设置于该有机电激发光膜堆的两侧,于通电时可激发该有机电激发光膜堆发出光线形成单位画素之一发光区;一透明基板,系承载该有机发光元件,该透明基板之上表面相对于该发光区边缘之处形成一周期性凹凸结构,该周期性凹凸结构为二维排列之光子晶体;及一修整层,置于该周期性凹凸结构上。19.如申请专利范围第18项所述之光子晶体有机发光元件,其中该修整层在该周期性凹凸结构上系为锯齿状。20.如申请专利范围第18项所述之光子晶体有机发光元件,其中该修整层在该周期性凹凸结构上系为波浪状。21.一种光子晶体有机发光元件,其包含有:一有机发光元件,系包含一透明电极、一负极电极与一有机电激发光膜堆,该透明电极与该负极电极设置于该有机电激发光膜堆的两侧,于通电时可激发该有机电激发光膜堆发出光线形成单位画素之一发光区;一透明基板,系承载该有机发光元件,该透明基板之上表面相对于该发光区边缘之处形成一周期性凹凸结构,该周期性凹凸结构为二维排列之光子晶体;及一复制堆叠膜,形成于该透明基板之上表面,该复制堆叠膜根据该周期性凹凸结构产生周期性的起伏。22.如申请专利范围第21项所述之光子晶体有机发光元件,其中该周期性凹凸结构系以三角晶格(triangular)、四角晶格(square)、六角晶格(hexagonal)及其混合型式其中之一型态排列。23.如申请专利范围第21项所述之光子晶体有机发光元件,其中该复制堆叠层系包含一高低折射率交错结构。24.如申请专利范围第21项所述之光子晶体有机发光元件,其中该复制堆叠层系包含一修整层。25.如申请专利范围第24项所述之光子晶体有机发光元件,其中该修整层在该周期性凹凸结构上系为锯齿状。26.如申请专利范围第24项所述之光子晶体有机发光元件,其中该修整层在该周期性凹凸结构上系为波浪状。27.如申请专利范围第24项所述之光子晶体有机发光元件,其中该复制堆叠层系包含一高低折射率交错结构,系根据该修整层之形状而自动复制。28.如申请专利范围第27项所述之光子晶体有机发光元件,其中该高低折射率交错结构可选自无机材料、有机材料或其混合材料之组合其中之一。29.如申请专利范围第27项所述之光子晶体有机发光元件,其中该高低折射率交错结构系选自氧化钽(Ta2O5)层/氧化矽(SiO2)层、氧化钛(TiO2)层/氧化矽(SiO2)层及氧化铌(Nb2O5)层/氧化矽(SiO2)层之组合其中之一。图式简单说明:第1图为本发明第一实施例之结构截面示意图;第2图为本发明第二实施例之结构截面示意图;第3图为本发明第三实施例之结构截面示意图;及第4图为本发明第四实施例之结构截面示意图。
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