| 主权项 |
1.一种沉积光罩,用于藉由沉积方法来形成一显示单元之有机发光装置所共有的一连续有机层,该显示单元具有由一基板上复数行列之复数个有机发光装置所建构而成的矩阵组态,该沉积光罩包括:一主体部分,其具有用于形成该矩阵组态中至少两列所共有之一连续有机层的一或多个条状开口;以及多个突出物,其配置在该主体部分上以向开口内部局部突出。2.如申请专利范围第1项之沉积光罩,其中该等突出物被备制成相对应于一介于该等有机发光装置之列间的区域。3.如申请专利范围第1项之沉积光罩,其中该等突出物可能是半圆形、半椭圆形或多边形。4.如申请专利范围第1项之沉积光罩,其中该等突出物被备制为位于该开口宽度方向两侧之相对位置上的一对突出物。5.如申请专利范围第4项之沉积光罩,其中数对该等突出物被备制成相对应于介于该等有机发光装置之列间的对应位置。6.如申请专利范围第1项之沉积光罩,其中藉由蚀刻或电铸方法来形成该开口。7.如申请专利范围第1项之沉积光罩,其中该主体部分系以具磁性特性之材料制成。8.一种制造显示单元之方法,该显示单元具有由一基板上复数行列之复数个有机发光装置所建构而成的矩阵组态,该方法包括下列步骤:以相对应于该基板上该等对应复数个有机发光装置的矩阵形状形成复数个第一电极;在一介于该等复数个第一电极之行列之间的区域中形成一绝缘膜;在该绝缘膜上一介于该等复数个第一电极之列间或行间的区域中形成一辅助电极;藉由沉积形成该等复数个第一电极中至少两个第一电极所共有之一条状连续有机层,且在相对应于一介于该条状连续有机层之该等第一电极列之间的区域之部位上形成多个凹口部分;以及在形成具有该等凹口部分的连续有机层之后,形成一几乎覆盖该基板整个区域的第二电极,在该连续有机层之多个凹口部分上形成一接触部分,并且电连接该第二电极及该辅助电极。9.如申请专利范围第8项之制造显示单元之方法,其中藉由使用一沉积光罩来形成具有该等凹口部分的该连续有机层,该沉积光罩包括一具有一或多个条状开口的主体部分,并且备制在该主体部分上的多个突出物会向该开口内部局部突出。10.如申请专利范围第8项之制造显示单元之方法,其中该等凹口部分被形成为半圆形、半椭圆形或多边形。11.如申请专利范围第8项之制造显示单元之方法,其中在该基板的周边区域中形成一柱形辅助电极,该柱形辅助电极会变成该辅助电极的一滙流排线。12.一种显示单元,该显示单元具有由一基板上复数行列之复数个有机发光装置所建构而成的矩阵组态,该显示单元包括:复数个第一电极,该等第一电极系以相对应于该等对应复数个有机发光装置的方式配置在该基板上;一绝缘膜,其被配置在一介于该等复数个第一电极之行列之间的区域中;一辅助电极,其配置在该绝缘膜上一介于该等复数个第一电极之列间或行间的区域中;一条状连续有机层,其备制在包含该等复数个第一电极之该基板表面上方式会促使该等复数个有机发光装置之矩阵组态中至少两列共有该条状连续有机层,并且该条状连续有机层之相对应于一介于该等第一电极列之间区域之侧壁部位上具有多个凹口部分;以及一第二电极,其几乎覆盖包含该连续有机层的该基板整个区域,并且该第二电极透过一形成在该连续有机层之该等凹口部分上的接触部分而电连接至该辅助电极。13.如申请专利范围第12项之显示单元,其中藉由使用一沉积光罩来形成具有该等凹口部分的该连续有机层,该沉积光罩包括一具有一或多个条状开口的主体部分,并且备制在该主体部分上的多个突出物会向该开口内部局部突出。14.如申请专利范围第12项之显示单元,其中该等凹口部分为半圆形、半椭圆形或多边形。15.如申请专利范围第12项之显示单元,其中在该基板的周边区域中形成一柱形辅助电极,该柱形辅助电极会变成该辅助电极的一滙流排线。16.如申请专利范围第12项之显示单元,其中该有机发光装置从该第二电极侧提取该连续有机层产生的光线。17.如申请专利范围第12项之显示单元,其中一密封基板被配置成在该基板之该等复数个有机发光装置之侧面对该基板,并且使用一介于该基板与该密封基板之间的黏着层将该基板与该密封基板黏着在一起。图式简单说明:图1显示用于解说制造习知显示单元之方法的平面图;图2显示用于解说接在图1所示之制程后之制造制程的平面图;图3显示用于解说接在图2所示之制程后之制造制程的平面图;图4显示用于解说接在图3所示之制程后之制造制程的平面图;图5显示用于解说接在图4所示之制程后之制造制程的平面图;图6显示用于解说接在图5所示之制程后之制造制程的平面图;图7显示用于解说接在图6所示之制程后之制造制程的平面图;图8显示用于解说制造习知显示单元过程中使用之沉积光罩中有问题区域的断面图;图9显示根据本发明一项具体实施例之显示单元略图构造的平面图;图10显示用于解说制造如图9所示之显示单元之制造制程的断面图;图11显示用于解说接在图10所示之制程后之制造制程的平面图;图12显示沿着图11所示之IV-IV线的断面图;图13显示用于解说接在图11和12所示之制程后之制造制程的平面图;图14显示沿着图13所示之VI-VI线的断面图;图15显示用于解说接在图13和14所示之制程后之制造制程的平面图;图16显示沿着图15所示之VIII-VIII线的断面图;图17显示用于解说接在图15和16所示之制程后之制造制程的断面图;图18显示图17所示之沉积光罩构造的平面图;图19显示藉由使用图17和18所示之沉积光罩来形成一绿色连续有机层之状况的平面图;图20显示图18所示之沉积光罩修改版的平面图;图21显示图18所示之沉积光罩之其他修改版的平面图;图22显示用于解说图17和19所示之制程中使用之沉积设备之略图构造的图式;图23显示用于解说接在图17和19所示之制程后之制造制程的平面图;图24显示用于解说接在图23所示之制程后之制造制程的平面图;图25显示沿着图24所示之XVII-XVII线的断面图;图26显示沿着图24所示之XVIII-XVIII线的断面图;图27显示用于解说接在图24所示之制程后之制造制程的平面图;图28显示沿着图27所示之XX-XX线的断面图;图29显示沿着图27所示之XXI-XXI线的断面图;图30显示用于解说接在图27所示之制程后之制造制程的断面图;图31A和31B显示用于解说接在图30所示之制程后之制造制程的断面图;图32显示用于解说接在图31A和31B所示之制程后之制造制程的断面图;图33显示用于解说接在图32所示之制程后之制造制程的断面图;图34显示用于解说如图33所示之显示单元之运作的图式;以及图35显示图18所示之沉积光罩之另一修改版的平面图。 |
