| 主权项 |
1.一种静电驱动型微机电系统元件,其特征在于包含:基板侧电极;及梁,其系与前述基板侧电极对向配置,具有驱动侧电极,该驱动侧电极系藉由与该基板侧电极间作用之静电吸力或静电斥力而驱动者;其中前述基板侧电极系由半导体基板内之导入有杂质之导电性半导体区域形成。2.如申请专利范围第1项之静电驱动型微机电系统元件,其中前述导电性半导体区域系藉由选择氧化所造成之绝缘分离或沟槽分离,与前述半导体基板之周边区域形成电气绝缘。3.一种静电驱动型微机电系统元件之制造方法,其特征在于包含以下工序:于半导体基板之表面导入杂质,形成与其他部份绝缘分离之基板侧电极之工序;包含前述基板侧电极上选择地形成牺牲层之工序;于前述牺牲层上形成具有驱动侧电极之梁之工序;及去除前述牺牲层之工序。4.如申请专利范围第3项之静电驱动型微机电系统元件之制造方法,其中使前述杂质导入藉由离子植入法、热扩散法、或固相扩散法进行。5.一种光学微机电系统元件,其特征在于包含:基板侧电极;及梁,其系与前述基板侧电极对向配置,具有兼光反射膜之驱动侧电极,该驱动侧电极系藉由与该基板侧电极间作用之静电吸力或静电斥力而驱动者;其中前述基板侧电极系由半导体基板内之导入有杂质之导电性半导体区域形成。6.一种光调制元件,其特征在于包含:基板侧电极;及梁,其系与前述基板侧电极对向配置,具有兼光反射膜之驱动侧电极,该驱动侧电极系藉由与该基板侧电极间作用之静电吸力或静电斥力而驱动者;其中前述基板侧电极系由半导体基板内之导入有杂质之导电性半导体区域形成。7.一种栅状光阀装置,其特征在于包含:共通之基板侧电极;及复数之梁,其系与前述共通之基板侧电极对向且相互独立地并列配置,具有兼光反射膜之驱动侧电极,该驱动侧电极系藉由与该基板侧电极间作用之静电吸力或静电斥力而驱动者;其中前述基板侧电极系由半导体基板内之导入杂质之导电性半导体区域形成。8.一种雷射显示器,其包含:雷射光源;及栅状光阀装置,其系配置于由该雷射光源所出射之雷射光之光轴上,供调制雷射光之光强度者,其特征在于:前述栅状光阀装置包含:共通之基板侧电极;及复数之梁,其系与前述共通之基板侧电极对向且相互独立地并列配置,具有兼光反射膜之驱动侧电极,该驱动侧电极系藉由与该基板侧电极间作用之静电吸力或静电斥力而驱动者;其中前述基板侧电极系由半导体基板内之导入杂质之导电性半导体区域形成。图式简单说明:图1系表示关于本发明之静电驱动型MEMS元件代表之一实施形态之构成图。图2A系本发明之静电驱动型MEMS元件,其基板侧电极之绝缘分离区域之一例。图2B系本发明之静电驱动型MEMS元件,其基板侧电极之绝缘分离区域之其他例。图3系表示关于本发明之静电驱动型MEMS元件代表之其他实施形态之构成图。图4系表示关于本发明之静电驱动型MEMS元件代表之其他实施形态之构成图。图5系表示本发明之静电驱动型MEMS元件,其驱动侧电极平坦性之主要部份截面图。图6A-C系表示图1之静电驱动型MEMS元件之制造方法,其一实施形态之制造工序图(其1)。图7A-B系表示图1之静电驱动型MEMS元件之制造方法,其一实施形态之制造工序图(其2)。图8A-C系表示图1之静电驱动型MEMS元件之制造方法,其他实施形态之制造工序图(其1)。图9A-B系表示图1之静电驱动型MEMS元件之制造方法,其他实施形态之制造工序图(其2)。图10A系MEMS元件之封装之主要部份构成图。图10B系以图10A之90方向所视之主要部份构成图。图11A系表示关于本发明之GLV装置之实施形态之构成图。图11B系图11A之截面图。图12系表示关于本发明之雷射显示器之实施形态之构成图。图13系提供过去说明之光学MEMS元件代表之一例。图14系提供过去说明之光学MEMS元件代表之其他例。图15A-B系表示过去之GEV装置之构成图。图16系表示过去之光学MEMS元件,其驱动侧电极之凹凸之主要部份截面图。图17A系过去之MEMS元件之封装之主要部份构成图。图17B系以图17A之90方向所视之主要部份构成图。 |
