| 主权项 |
1.一种有机电致发光元件,系包含有: 阳极,系具有: 一第1导电膜,具有光反射性,形成于基板上者;及, 第2导电膜,具有光穿透性,形成于前述第1导电膜上 且覆盖前述第1导电膜者; 有机电致发光层,系形成于前述阳极上者;及 阴极,系具有光穿透性,形成于前述有机电致发光 层上者。 2.一种有机电致发光元件,系包含有: 阳极,系具有: 一第1导电膜,具有光反射性,形成于基板上者; 第2导电膜,具有光穿透性,形成于前述第1导电膜上 ;及, 第3导电膜,部分形成于前述第1导电膜与前述第2导 电膜之间,且与前述第1导电膜及前述第2导电膜各 做电性连接者; 有机电致发光层,系形成于前述阳极上者;及 阴极,系具有光穿透性,形成于前述有机电致发光 层上者。 3.如申请专利范围第2项之有机电致发光元件,其中 该第3导电膜系形成于前述第1导电膜的周缘部上 者。 4.如申请专利范围第2或3项之有机电致发光元件, 其中该第2导电膜系形成为覆盖前述第1导电膜者 。 5.如申请专利范围第2或3项之有机电致发光元件, 其中该第3导电膜系由高融点金属所构成者。 6.如申请专利范围第5项之有机电致发光元件,其中 该第3导电膜系由Mo、W、Ta、Cr或以至少前述元素 中之一种元素为主要成分之合金所构成者。 7.一种有机电致发光元件,系包含有: 阳极,系具有: 一第1导电膜,具有光反射性,形成于基板上者; 绝缘层,具有光穿透性,形成于前述第1导电膜上者; 及, 第2导电膜,具有光穿透性,形成于前述绝缘层上者; 有机电致发光层,系形成于前述阳极上者;及 阴极,系具有光穿透性,形成于前述有机电致发光 层上者。 8.如申请专利范围第7项之有机电致发光元件,其中 该绝缘层系形成为覆盖前述第1导电膜者。 9.如申请专利范围第7或8项之有机电致发光元件, 其中该第1导电膜系形成较前述阳极与前述阴极相 重叠之发光区还宽者。 10.如申请专利范围第7或8项之有机电致发光元件, 其中该绝缘层的膜厚系1m以上者。 11.如申请专利范围第7或8项之有机电致发光元件, 其中该绝缘层之光的穿透率在50%以上者。 12.如申请专利范围第1、2、3、7或8项之有机电致 发光元件,其中该第1导电膜系部分形成于前述阳 极与前述阴极相重叠之发光区者。 13.如申请专利范围第1、2、3、7或8项之有机电致 发光元件,其中该基板或前述绝缘层的表面上形成 有凹凸者。 14.如申请专利范围第1、2、3、7或8项之有机电致 发光元件,其中该第1导电膜系由Al、Ag、Nd、Si、Ti 、W、Cu、Nb、Ta、C、或至少以前述元素中一种为 主要成分之合金所构成者。 15.如申请专利范围第1、2、3、7或8项之有机电致 发光元件,其中该第2导电膜系由ITO、IZO或ZnO所构 成者。 16.一种显示装置,其系使于像素区中具有申请专利 范围第1、2、3、7或8项之有机电致发光元件。 17.如申请专利范围第16项之显示装置,系更具有一 开关元件,该开关元件系形成于前述基板上,且用 以控制施加于前述有机电致发光元件之驱动电压 者。 18.一种有机电致发光元件之制造方法,系包含有以 下步骤,即: 在基板上形成阳极,该阳极包含有:第1导电膜,具有 光反射性者,及,第2导电膜,具有光穿透性,形成于 前述第1导电膜上且覆盖该第1导电膜者; 在前述第1导电膜上形成有机电致发光层;及 在前述有机电致发光层上形成具有光穿透性之阴 极。 19.如申请专利范围第18项之有机电致发光元件之 制造方法,其中前述形成阳极之步骤中,在形成前 述第2导电膜之前,先在前述第1导电膜上部分形成 与前述第1导电膜及前述第2导电膜各做电性连接 之第3导电膜。 20.如申请专利范围第19项之有机电致发光元件之 制造方法,其中前述形成阳极之步骤包含有以下步 骤,即: 在前述第1导电膜上形成前述第3导电膜; 在前述第3导电膜上形成光阻膜,且对前述光阻膜 之膜厚设有部分厚薄状态; 以对膜厚设有厚薄状态之前述光阻膜作为遮蔽,对 前述第3导电膜及前述第1导电膜进行蚀刻; 除去前述光阻膜之膜厚较薄的部分,以于前述光阻 膜形成开口部;及 以形成有前述开口部之前述光阻膜作为遮蔽,对露 出于前述开口部底部之前述第3导电膜进行蚀刻, 以于前述第1导电膜上部分形成前述第3导电膜。 21.如申请专利范围第20项之有机电致发光元件之 制造方法,其中前述对光阻膜之膜厚设有部分厚薄 状态之步骤中,改变部分前述光阻膜之曝光量,以 于前述光阻膜之膜厚设成厚薄状态者。 22.如申请专利范围第19至21项中任一项之有机电致 发光元件之制造方法,其中前述部分形成前述第3 导电膜之步骤中,在前述第1导电膜之周缘部上形 成前述第3导电膜者。 23.一种显示装置之制造方法,系包含有以下步骤, 即: 在基板上形成开关元件; 在形成有前述开关元件之前述基板上形成第1绝缘 层; 在前述第1绝缘层上形成具有光反射性之第1导电 膜; 在形成有前述第1导电膜之前述第1绝缘层上形成 第2绝缘层,该第2绝缘层由具有光穿透性之感光性 树脂构成,且于前述开关元件之电极上具有第1开 口部; 以前述第2绝缘层作为遮蔽,对前述第1绝缘层进行 蚀刻,形成一到达前述开关元件之电极之第2开口 部; 在前述第2绝缘层上形成具有第2导电膜之阳极,该 第2导电膜具有光穿透性,且藉前述第1开口部及前 述第2开口部而与前述开关元件之电极做电性连接 者; 在前述阳极上形成有机电致发光层;及 在前述有机电致发光层上形成具有光穿透性之阴 极。 图式简单说明: 第1A、1B图系显示本发明第1实施形态之显示装置 构造之概略图。 第2A、2B图系显示采用有机电致发光元件之底部发 光型显示装置构造例之概略图。 第3A至3C图系显示制造本发明第1实施形态之显示 装置之方法的步骤截面图(其一)。 第4A至4C图系显示制造本发明第1实施形态之显示 装置之方法的步骤截面图(其二)。 第5A、5B图系显示本发明第2实施形态之显示装置 构造之概略图。 第6A至6D图系显示制造本发明第2实施形态之显示 装置之方法的步骤截面图(其一)。 第7A至7C图系显示制造本发明第2实施形态之显示 装置之方法的步骤截面图(其二)。 第8A至8C图系显示本发明第3实施形态之显示装置 构造之概略图。 第9图系显示本发明第4实施形态之显示装置构造 之概略图。 第10图系显示本发明第5实施形态之显示装置构造 之概略图。 第11图系一显示底部发光型显示装置构造例之截 面图,该显示装置采用有机电发光元件并使用薄膜 电晶体作为开关元件者。 第12A至12C图系显示制造本发明第5实施形态之显示 装置之方法的步骤截面图(其一)。 第13A至13C图系显示制造本发明第5实施形态之显示 装置之方法的步骤截面图(其二)。 第14图系显示本发明第6实施形态之显示装置构造 之截面图。 第15图系显示本发明第6实施形态之显示装置特性 之线图。 第16图系显示使用Cr膜作为阳极之显示装置构造之 截面图。 第17A至17C图系显示制造本发明第6实施形态之显示 装置之方法的步骤截面图(其一)。 第18A至18C图系显示制造本发明第6实施形态之显示 装置之方法的步骤截面图(其二)。 第19图系显示本发明第7实施形态之显示装置构造 之截面图。 第20A至20C图系显示制造本发明第7实施形态之显示 装置之方法的步骤截面图(其一)。 第21A至21C图系显示制造本发明第7实施形态之显示 装置之方法的步骤截面图(其二)。 第22A、22B图系显示制造本发明第7实施形态之显示 装置之方法的步骤截面图(其三)。 |
