| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征在于系藉由雷射切割而 分割半导体晶圆之晶片;且具备: 配线层,其系于前述晶片侧面之雷射切割区域之表 层,沿着前述雷射切割区域所形成者。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述配 线层系沿着前述晶片之外周直线地形成。 3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述配 线层系弯曲而形成,以便避开定位标记及测试用垫 。 4.如申请专利范围第2或3项之半导体装置,其中进 一步具备设置于前述晶片之外周与前述配线层之 间之定位标记及测试用垫之至少一方。 5.如申请专利范围第1至3项中任一项之半导体装置 ,其中前述配线层系与元件区域中之配线层相同层 。 6.一种半导体装置,其特征在于系藉由雷射切割而 分割半导体晶圆之晶片;且具备: 雷射吸收构件,其系于前述晶片侧面之雷射切割区 域之表层,沿着前述雷射切割区域所形成者。 7.如申请专利范围第6项之半导体装置,其中前述雷 射吸收构件为片状,于对应于定位标记上之位置具 有开口部。 8.如申请专利范围第6项之半导体装置,其中前述雷 射吸收构件系形成于前述晶片之元件区域上之表 面保护膜。 9.如申请专利范围第8项之半导体装置,其中前述表 面保护膜系由前述晶片之元件区域上延设于前述 雷射切割区域上。 10.如申请专利范围第8或9项之半导体装置,其中前 述表面保护膜系由聚醯亚胺系之材料所组成。 11.一种半导体装置,其特征在于系藉由雷射切割而 分割半导体晶圆之晶片;且具备: 外部连接用凸块;介在前述凸块与形成于元件区域 中之元件之外部电极之间之障壁金属层;及于前述 晶片侧面之雷射切割区域之表层,沿着前述雷射切 割区域所形成之障壁金属层。 12.如申请专利范围第6至8及11项中任一项之半导体 装置,其中进一步具备设置于前述晶片中之元件区 域外周与前述雷射切割区域之间之定位标记及测 试用垫之至少一方。 13.如申请专利范围第1至3、6至8及11项中任一项之 半导体装置,其中具有:形成于前述晶片侧面之雷 射切割区域之表层侧之藉由雷射光线之切断区域; 及对应于此切断区域而形成于深层侧之藉由多光 子吸收之熔融处理区域。 14.一种半导体装置之制造方法,其特征在于具备: 避开设置于半导体晶圆之晶片间之定位标记及测 试用垫而照射雷射光线,将前述半导体晶圆分割成 各个晶片之工序。 15.一种半导体装置之制造方法,其特征在于具备: 将雷射光线之焦点位置设定在切割线区域之表层 侧而照射,形成比半导体晶圆之厚度浅之切断区域 之工序;及 藉由将雷射光线之焦点位置设定在对应于前述切 断区域之半导体晶圆内部,照射雷射光线,以形成 藉由多光子吸收之熔融处理区域之工序;且 避开形成于前述晶片间之区域之定位标记及测试 用垫而照射雷射光线,将半导体晶圆分割成各个晶 片。 16.如申请专利范围第15项之半导体装置之制造方 法,其中形成前述熔融处理区域之工序系由前述半 导体晶片之背面侧经由切割膜而照射雷射光线。 17.如申请专利范围第15项之半导体装置之制造方 法,其中形成前述熔融处理区域之工序系由前述半 导体晶片之元件区域侧照射雷射光线。 18.一种半导体装置之制造方法,其特征在于具备: 照射焦点位置为切割线区域之表层侧之雷射光线 及焦点位置为半导体晶圆内部之雷射光线,于半导 体晶圆之表层侧形成切断区域,于深层侧形成藉由 多光子吸收之熔融处理区域之工序;且 避开形成于前述半导体晶圆之晶片间之区域之定 位标记及测试用垫而照射雷射光线,将半导体晶圆 分割成各个晶片。 19.如申请专利范围第15至18项中任一项之半导体装 置之制造方法,其中前述雷射光线系直线地照射于 前述晶片间之区域。 20.如申请专利范围第15至18项中任一项之半导体装 置之制造方法,其中前述雷射光线系弯曲照射于前 述晶片间之区域。 图式简单说明: 图1系为了说明本发明第一实施型态之半导体装置 及其制造方法,将形成于半导体晶圆中邻近之2个 晶片及此等晶片间之区域抽出而放大表示之图案 平面图。 图2系为了说明本发明第二实施型态之半导体装置 及其制造方法,将形成于半导体晶圆中邻近之2个 晶片及此等晶片间之区域抽出而放大表示之图案 平面图。 图3系为了说明本发明第三实施型态之半导体装置 及其制造方法,将形成于半导体晶圆中邻近之2个 晶片及此等晶片间之区域抽出而放大表示之图案 平面图。 图4系为了说明本发明第四实施型态之半导体装置 及其制造方法,将形成于半导体晶圆中邻近之2个 晶片及此等晶片间之区域抽出而放大表示之图案 平面图。 图5系为了说明本发明第五实施型态之半导体装置 及其制造方法,将形成于半导体晶圆中邻近之2个 晶片及此等晶片间之区域抽出而放大表示之图案 平面图。 图6系为了说明本发明第六实施型态之半导体装置 及其制造方法,将形成于半导体晶圆中邻近之2个 晶片及此等晶片间之区域抽出而放大表示之图案 平面图。 图7系为了说明本发明第七实施型态之半导体装置 及其制造方法,表示雷射切割工序之剖面图。 图8系为了说明本发明第七实施型态之半导体装置 及其制造方法,表示雷射切割工序之剖面图。 图9系为了说明本发明第八实施型态之半导体装置 及其制造方法,表示雷射切割工序之剖面图。 图10系为了说明本发明第九实施型态之半导体装 置及其制造方法,表示雷射切割工序之剖面图。 图11系为了说明以往之半导体装置及其制造方法, 表示雷射切割工序之第一方式之剖面图。 图12系为了说明以往之半导体装置及其制造方法, 表示雷射切割工序之第二方式之剖面图。 |
