| 主权项 |
1.一种水处理装置,其特征为:具备由浸渍于含有被 去除物的流体内的第1过滤器及经吸着于其表面的 由凝胶膜而成的第2过滤器所构成的过滤装置,及 藉由电化学式方法而从前述流体去除氮化合物的 一对电极。 2.如申请专利范围第1项之水处理装置,其中于将收 容该流体的第1槽中装备有该电极,而将收容藉由 该电极所处理的该流体的第2槽中装备有该过滤装 置。 3.如申请专利范围第1项之水处理装置,其中该过滤 装置及该电极,系装备于同一槽内。 4.如申请专利范围第1项之水处理装置,其中将收容 该流体的第1槽中装备有该过滤装置,而将收容藉 由该过滤装置所处理的该流体的第2槽中装备有该 电极。 5.如申请专利范围第1项之水处理装置,其中藉由该 过滤装置而实施该流体中所含胶体状之微粒子之 过滤,并藉由该电极而去除该流体中之氮化合物。 6.如申请专利范围第1项之水处理装置,其中构成该 电极之阴极的金属材料,系元素周期表之第1b族或 第2b族或者含有第8族元素的导电体,或者将该族元 素被覆于导电体上者。 7.如申请专利范围第1项之水处理装置,其中该过滤 装置具备有经由第1管子而吸引该流体的泵、及将 来自该泵的过滤流体取出该槽外的第2管子,并在 该槽内将该流体之该被去除物浓缩。 8.如申请专利范围第1项之水处理装置,其中该过滤 装置,系由框、及被该框支持其周围的该第1过滤 器、以及被该第1过滤器表面所吸着的该第2过滤 器所构成。 9.如申请专利范围第1项之水处理装置,其中该被去 除物,系CMP(化学机械式研磨法)研浆。 10.如申请专利范围第1项之水处理装置,其中该流 体,系含有铟,或铟化合物的溶液。 11.一种水处理方法,其特征为:藉由经形成于第1过 滤器表面的凝胶状之第2过滤器而过滤流体以去除 被去除物之微粒子成分,并藉由电化学式方法而去 除前述流体中所含的氮化合物。 12.如申请专利范围第11项之水处理方法,其中在处 理该氮化合物之后,去除该微粒子成分。 13.如申请专利范围第11项之水处理方法,其中在去 除该微粒子成分之后,处理该氮化合物。 14.如申请专利范围第11项之水处理方法,其中在处 理该氮化合物之同时,去除该微粒子成分。 15.如申请专利范围第11项之水处理方法,其中之电 化学式方法中,系使一对电极浸渍于该流体中并通 电,藉以实施该氮化合物之处理。 16.如申请专利范围第11项之水处理方法,其中,在对 该流体添加卤素离子、或者含有卤元素的化合物 之后,藉由该电化学式方法以处理该氮化合物。 17.如申请专利范围第16项之水处理方法,其中,藉由 该电化学式方法生成该微粒子之凝聚粒子,而该凝 聚粒子系藉由该第2过滤器过滤。 18.如申请专利范围第11项之水处理方法,其中该凝 胶膜,系由胶体状之该微粒子成分所形成。 19.如申请专利范围第11项之水处理方法,其中该被 去除物,系CMP研浆。 20.如申请专利范围第11项之水处理方法,其中该流 体,系含有铟,或铟化合物的溶液。 21.一种水处理装置,其特征为:具备含有溶出能与 液体中所含被去除物结合的凝聚性之离子的金属 的电极,及过滤所凝聚的流体中之被去除物的过滤 装置。 22.一种水处理装置,其特征为:具备藉由能与被去 除物结合的凝聚性之离子之溶出而生成较前述被 去除物的直径为大的凝聚物的电极、及过滤前述 凝聚物的过滤装置。 23.如申请专利范围第21项或第22项之水处理装置, 其中该过滤装置,系由经浸渍于含有被去除物的流 体内的第1过滤器、及由被该表面所吸附的凝胶膜 所成第2过滤器所构成。 24.如申请专利范围第23项之水处理装置,其中该凝 胶膜系由该被去除物之凝聚物所形成。 25.如申请专利范围第21项或第22项之水处理装置, 其中作为该电极之材料系采用元素周期表之第8族 或含有第8族的导电体、或者该族或将含有该族的 导电体被覆于导电体者。 26.如申请专利范围第21项或第22项之水处理装置, 其中作为该电极之材料系采用铁。 27.如申请专利范围第21项或第22项之水处理装置, 其中该电极系经装备于将收纳该流体的第1槽中, 而该过滤装置系经装备于将收容由该电极所处理 的该流体的第2槽中。 28.如申请专利范围第21项或第22项之水处理装置, 其中该过滤装置及该电极,系经装备于同一槽中。 29.如申请专利范围第21项或第22项之水处理装置, 其中该过滤装置,具备有经由第1管子而吸引该流 体的泵、及将来自该泵之过滤流体取出该槽外的 第2管子,而在槽内浓缩该流体之该被去除物。 30.如申请专利范围第21项或第22项之水处理装置, 其中该过滤装置,系由框、及被该框支持该框周围 的该第1过滤器、以及被该第1过滤器表面所吸着 的第2过滤器所构成。 31.如申请专利范围第21项或第22项之水处理装置, 其中藉由该电极之电化学式作用,以去除流体所含 的氮化合物。 32.一种水处理方法,其特征为:使凝聚性之离子溶 出以使流体中所含的被去除物凝聚,并使用过滤装 置将所凝聚的前述被去除物过滤。 33.一种水处理方法,其特征为:藉由凝聚性之离子 之溶出而生成较流体中所含被去除物的直径更大 的凝聚物,并使用前述过滤装置将前述凝聚物过滤 。 34.如申请专利范围第32项或第33项之水处理方法, 其中将由该凝聚物所成凝聚状之第2过滤器形成于 第1过滤器表面,并使用该第2过滤器实施过滤。 35.如申请专利范围第32项或第33项之水处理方法, 其中对该流体添加卤素离子、或含有卤素离子的 化合物。 36.如申请专利范围第32项或第33项之水处理方法, 其中藉由电化学式方法以处理该气体所含的氮化 合物。 37.如申请专利范围第32项或第33项之水处理方法, 其中该凝聚物,系铁矽之高分子化合物。 图式简单说明: 第1图为说明本发明之水处理装置及水处理方法之 基本原理的概要图(A)、概要图(B)、概要图(C)。 第2图为说明本发明之经具体化的水处理装置之构 成的概要图。 第3图为说明本发明之水处理装置所具有的电极之 原理的概要图。 第4图为说明本发明之经具体化的排水处理装置之 架构的概要图(A)、概要图(B)。 第5图为说明本发明之排水处理装置所具有的电极 之原理的概要图。 第6图为说明本发明之排水处理装置及排水处理方 法之基本原理的概要图(A)、概要图(B)。 第7图为说明本发明之水处理装置所具有的过滤装 置的概要图。 第8图为说明本发明之过滤装置之动作原理的图(A) 、第1过滤器之扩大图(B)。 第9图为说明本发明之第2过滤装置之成膜条件的 剖面图(A)、特性图(B)。 第10图为说明本发明之经具体化的过滤装置的概 要图。 第11图为说明本发明之过滤装置的斜视图(A)、斜 视图(B)、斜视图(C)。 第12图为说明本发明之再经具体化的过滤装置的 斜视图(A)、斜视图(B)、剖面图(C)、剖面图(D)。 第13图为说明本发明之过滤装置之再生的剖面图(A )、剖面图(B)。 第14图为说明本发明之过滤装置之运转状况的特 性图。 第15图为说明本发明之过滤特性的特性图(A)、特 性图(B)。 第16图为说明在来之过滤系统的概要图。 第17图为说明CMP装置的概要图。 第18图为说明CMP装置之系统的概要图。 |
