发明名称 |
具有钌电极的半导体存储器及其制造方法 |
摘要 |
一种用于存储单元的半导体存储器,包括:一有源矩阵,该有源矩阵具有:一半导体衬底,形成于所述半导体衬底上的多个晶体管,一形成于所述晶体管和半导体衬底上的绝缘层,和一与所述晶体管电连接的接触孔;一形成于所述接触孔和绝缘层上的第一钌(Ru)层;以及一形成于所述第一钌层上的具有一粗糙表面的第二钌层,其中该第一和第二Ru层形成Ru电极结构。本发明还涉及此种采存储器的制造方法。 |
申请公布号 |
CN1201397C |
申请公布日期 |
2005.05.11 |
申请号 |
CN00120681.8 |
申请日期 |
2000.12.28 |
申请人 |
现代电子产业株式会社 |
发明人 |
朴圣彦 |
分类号 |
H01L27/10;H01L27/108;H01L21/28;H01L21/8242 |
主分类号 |
H01L27/10 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波 |
主权项 |
1、一种用于存储单元的半导体存储器,包括:一有源矩阵,其包括:一半导体衬底,形成于所述半导体衬底上的多个晶体管,一形成于所述晶体管和半导体衬底的一部分上的绝缘层,和一具有底表面和侧表面的接触孔;一形成于所述接触孔的底表面和侧表面上和绝缘层上的第一钌(Ru)层;以及一形成于所述第一钌层上的具有一粗糙表面的第二钌层,其中,该第一和第二Ru层形成Ru电极结构。 |
地址 |
韩国京畿道 |