发明名称 具有钌电极的半导体存储器及其制造方法
摘要 一种用于存储单元的半导体存储器,包括:一有源矩阵,该有源矩阵具有:一半导体衬底,形成于所述半导体衬底上的多个晶体管,一形成于所述晶体管和半导体衬底上的绝缘层,和一与所述晶体管电连接的接触孔;一形成于所述接触孔和绝缘层上的第一钌(Ru)层;以及一形成于所述第一钌层上的具有一粗糙表面的第二钌层,其中该第一和第二Ru层形成Ru电极结构。本发明还涉及此种采存储器的制造方法。
申请公布号 CN1201397C 申请公布日期 2005.05.11
申请号 CN00120681.8 申请日期 2000.12.28
申请人 现代电子产业株式会社 发明人 朴圣彦
分类号 H01L27/10;H01L27/108;H01L21/28;H01L21/8242 主分类号 H01L27/10
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波
主权项 1、一种用于存储单元的半导体存储器,包括:一有源矩阵,其包括:一半导体衬底,形成于所述半导体衬底上的多个晶体管,一形成于所述晶体管和半导体衬底的一部分上的绝缘层,和一具有底表面和侧表面的接触孔;一形成于所述接触孔的底表面和侧表面上和绝缘层上的第一钌(Ru)层;以及一形成于所述第一钌层上的具有一粗糙表面的第二钌层,其中,该第一和第二Ru层形成Ru电极结构。
地址 韩国京畿道
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