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1.一种利用双镶嵌制程来制造T型多晶矽闸极的方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,其内系形成有隔离区域;在该半导体基底上依序形成一氧化层,一硬罩幕层,及一图案化第一光阻层,以该图案化第一光阻层为罩幕,对该硬罩幕层与该氧化层进行蚀刻制程,直至暴露出该半导体基底为止,以形成一第一沟槽,而后移除该图案化第一光阻层;于该第一沟槽沉积一有机层,对该有机层进行一回蚀刻制程,至该有机层之表面高度低于该硬罩幕层为止;在该半导体基底上形成一图案化第二光阻层,以定义出所要蚀刻之第二沟槽尺寸,而该图案化第二光阻层之蚀刻窗尺寸系大于该第一沟槽,以该图案化第二光阻层为罩幕,对该硬罩幕层继续进行一蚀刻制程,以形成一第二沟槽,而后移除该图案化第二光阻层与该有机层;对该半导体基底施行一氧化制程,使自该第一沟槽暴露出之该半导体基底表面形成一闸极氧化层;于该半导体基底上沉积一多晶矽层,并填满该第一、第二沟槽,而后对该多晶矽层进行一平坦化制程;以及移除剩余的该硬罩幕层,然后以该多晶矽层为罩幕移除暴露出的该氧化层,以得到一T型轮廓之多晶矽闸极。2.如申请专利范围第1项所述之利用双镶嵌制程来制造T型多晶矽闸极的方法,其中该硬罩幕层之材质为氮氧化矽(SiON)或四乙氧基矽烷(TEOS)。3.如申请专利范围第1项所述之利用双镶嵌制程来制造T型多晶矽闸极的方法,其中完成该T型轮廓之多晶矽闸极后,接续可继续进行源/汲极的掺杂制程。4.如申请专利范围第1项所述之利用双镶嵌制程来制造T型多晶矽闸极的方法,其中该氧化制程为快速氧化制程。5.如申请专利范围第4项所述之利用双镶嵌制程来制造T型多晶矽闸极的方法,其中该快速氧化制程是以氧气电浆来进行处理。6.如申请专利范围第1项所述之利用双镶嵌制程来制造T型多晶矽闸极的方法,其中该平坦化制程为化学机械研磨法。7.如申请专利范围第1项所述之利用双镶嵌制程来制造T型多晶矽闸极的方法,其中该硬罩幕层系利用低压化学气相沉积而成。8.如申请专利范围第1项所述之利用双镶嵌制程来制造T型多晶矽闸极的方法,其中该有机层为有机抗反射层(BARC)。图式简单说明:第一图至第七图为本发明之各步骤构造剖视图。 |
