半导体的清洗方法

摘要

一种半导体的清洗方法，此清洗方法系适用于闪存的闸间介电层形成之后，此方法包括先提供一半导体晶圆。然后，于半导体晶圆上形成第一氧化硅层。接着，于第一氧化硅层上形成浮置闸极层。之后，于浮置闸极层上形成第二氧化硅层。继之，蚀刻第一氧化硅层、浮置闸极层与第二氧化硅层，以形成闸极结构，其中此第二氧化硅层系作为闸间介电层之用。然后，使用含有臭氧之去离子水清洗包含有闸极结构之半导体晶圆。接着，更包括使用第一清洗液清洗已经过含有臭氧之去离子水清洗之晶圆。之后，使用第二清洗液清洗已经过第一清洗液清洗的半导体晶圆。

主权项

1.一种半导体的清洗方法，该清洗方法系适用于一闪存之一闸间介电层形成之后，该清洗方法包括：提供一半导体晶圆；于该半导体晶圆上形成一第一氧化硅层；于该第一氧化硅层上形成一浮置闸极层；于该浮置闸极层上形成一第二氧化硅层；蚀刻该第一氧化硅层、该浮置闸极层与该第二氧化硅层，以形成一闸极结构，其中该第二氧化硅层系作为该闸间介电层之用；使用一含有臭氧(Ozonated)之去离子水(De-Ionized，DI)清洗包含有该闸极结构之该半导体晶圆；更包括使用一第一清洗液清洗已经过该含有臭氧的去离子水清洗的该半导体晶圆；以及使用一第二清洗液清洗已经过该第一清洗液清洗的该半导体晶圆。