| 发明名称 | 高频用磁性薄膜、复合磁性薄膜和使用它们的磁性元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种高频用磁性薄膜，其中，含有由T－L组合物构成的第1层，其中T是Fe或FeCo、L是C、B和N之中的1种、2种或以上、和在上述第1层的任意的面上被配置的由Co系非晶质合金构成的第2层。本发明的高频用磁性薄膜，通过层叠、优选交替地层叠了多个第1层和多个第2层的多层膜结构构成为好。本发明的高频用磁性薄膜，能够得到在1GHz下的复数磁导率的实数部(μ’)为400或以上、并且性能指数Q(Q＝μ’/μ”)为4或以上、饱和磁化为14kG(1.4T)或以上的特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1615529A | 申请公布日期 | 2005.05.11 |
| 申请号 | CN03802283.4 | 申请日期 | 2003.01.10 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 崔京九;村濑;山崎阳太郎 |
| 分类号 | H01F10/16 | 主分类号 | H01F10/16 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陈建全 |
| 主权项 | 1.一种高频用磁性薄膜，其中，含有由T-L组合物构成的第1层，其中T是Fe或FeCo、L是C、B和N之中的1种、2种或以上、和在所述第1层的任意的面上被配置的由Co系非晶质合金构成的第2层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||