| 发明名称 | 半导体装置钝化方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体装置钝化(passivating)方法，其包括对一半导体装置进行一高压退火处理(high pressureannealing)以及对该半导体装置进行一等离子体处理(plasmatreatment)，用以消除在进行高压退火处理后，积累于该半导体装置内的电荷。该等离子体处理所使用的工艺气体可以是氮、氢、水、一氧化二氮、氧、氨或其混合物。 | ||
| 申请公布号 | CN1614755A | 申请公布日期 | 2005.05.11 |
| 申请号 | CN200310113816.7 | 申请日期 | 2003.11.04 |
| 申请人 | 统宝光电股份有限公司 | 发明人 | 蔡耀铭;张世昌;曾章和 |
| 分类号 | H01L21/324;H01L21/31;H01L21/30 | 主分类号 | H01L21/324 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置钝化方法，其中至少包括对该半导体装置进行以下步骤：一高压退火处理步骤，用以修补该半导体装置内所产生的缺陷；以及一等离子体处理步骤，用以去除该半导体装置内所产生的电荷。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业区苗栗县 | ||