制造多晶硅层的方法及其光罩

摘要

本发明有关一种制造多晶硅层的方法。首先，提供一基板，并形成一非晶硅区于基板上，非晶硅层具有第一非晶硅区及第二非晶硅区。接着，提供一光罩，光罩包括部分透光区及透光区，部分透光区及透光区分别对应于第二非晶硅区及第一非晶硅区。然后，以激光光照射光罩，使得第一非晶硅区被全熔融且第二非晶硅区被预热，且被全熔融的第一非晶硅区是结晶成第一多晶硅层。然后，移动光罩或基板，使得透光区对应于被预热的第二非晶硅区。接着，以激光光照射光罩，使得被预热的第二非晶硅区被全熔融，且被全熔融的第二非晶硅区是结晶成第二多晶硅层。

主权项

1.一种制造多晶硅层的方法，包括：提供一基板；形成一非晶硅层于该基板上，该非晶硅层至少具有一第一非晶硅区及一第二非晶硅区；全熔融该第一非晶硅区及预热该第二非晶硅区，被全熔融的该第一非晶硅区结晶成一第一多晶硅层；以及全熔融被预热的该第二非晶硅区，使得被全熔融的该第二非晶硅区结晶成一第二多晶硅层。