一种用于防止电荷充电的氮化物只读存储器制作方法

摘要

本发明是提供一种用于防止电荷充电的氮化物只读存储器(nitride readonly memory，NROM)制作方法。该方法是先于包含有存储器区以及周边区的基底表面形成由底氧化(bottom oxide)层、氮化硅层以及上氧化(topoxide)层所构成的ONO(oxide-nitride-oxide)层。接着于该存储器区内的该ONO层表面形成多条纵向排列的位线掩膜(bit line mask)，并利用第一离子布置处理以于未被该位线掩膜所覆盖的该基底中形成多条埋藏位线(buriedbit line)。随后于该ONO层表面上形成多条横向排列并与该多条埋藏位线几近垂直的字线。最后于各该字线的周围侧壁形成间隔层(spacer)，并于该基底表面依序形成阻绝层以及保护层，以防止在半导体处理中该氮化物只读存储器被电荷充电。

主权项

1.一种用于防止电荷充电的氮化物只读存储器制作方法，该方法包含有下列步骤：提供基底，且该基底表面包含有存储区以及周边区；于该基底表面形成由底氧化层、氮化硅层以及上氧化层所构成的氧化-氮化-氧化层；于该存储区内的该氧化-氮化-氧化层表面形成多条纵向排列的位线掩膜；进行第一离子布植处理，以于未被该位线掩膜所覆盖的该基底中形成多条埋藏位线；去除该位线掩膜；于该氧化-氮化-氧化层表面上形成多条横向排列并与该多条埋藏位线几近垂直的字线；于该基底表面形成牺牲层，并对该牺牲层进行一回蚀刻处理，直至该基底表面，以于各该字线的周围侧壁形成间隔层；以及于该基底表面依序形成阻绝层以及保护层。