| 发明名称 | 在集成电路中使用的电极结构 | ||
| 摘要 | 一种电极结构(200A)，包括导电材料的第一层(202)和在第一层的表面上形成的电介质层(204)。在电介质层中形成开口(206)，以便暴露第一层表面的一部分。在电介质层上并在第一层表面的暴露部分上形成接合层(210)，并在导电接合层上形成导电材料的第二层(212)。接合层可以是氧化物，并且第二层是可扩散进入氧化物的导电材料。退火电极结构，以便使导电材料从第二层被化学吸附进入接合层，以改善第一层和第二层之间的粘接性。通过在电极结构中形成掺杂的玻璃层(214)来形成可编程单元。 | ||
| 申请公布号 | CN1615544A | 申请公布日期 | 2005.05.11 |
| 申请号 | CN02827286.2 | 申请日期 | 2002.11.19 |
| 申请人 | 微米技术有限公司 | 发明人 | J·T·穆尔;J·F·布洛克斯 |
| 分类号 | H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;王忠忠 |
| 主权项 | 1、一种电极结构，包括：导电材料的第一层；在第一层的表面上形成的电介质层；在电介质层中形成的开口，以便暴露第一层表面的一部分；在电介质层上并在第一层表面的暴露部分上形成的接合层；以及在导电接合层上形成的导电材料的第二层。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||