发明名称 |
半导体存储装置及其非易失性存储器验证方法 |
摘要 |
本发明提供一种可提高可靠性的半导体存储装置和微型计算机。半导体存储装置具备了:非易失性存储器;和比较从所述非易失性存储器读出的读出信号的电平与第1基准电平的第1读出放大器,其中具备检测机构,其在检测出所述读出信号的电平与所述第1基准电平之差比规定的电平差小时,输出表示比该电平差小的检测信号。此外,在具备该半导体存储装置和控制向所述非易失性存储器的存取的处理器的微型计算机中,所述处理器具备:根据所述检测信号,控制向非易失性存储器的存取的控制机构。 |
申请公布号 |
CN1614718A |
申请公布日期 |
2005.05.11 |
申请号 |
CN200410092289.0 |
申请日期 |
2004.11.05 |
申请人 |
三洋电机株式会社 |
发明人 |
保高和夫 |
分类号 |
G11C16/02;G11C16/06;G06F11/00 |
主分类号 |
G11C16/02 |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
李香兰 |
主权项 |
1、一种半导体存储装置,其中具备了:非易失性存储器;和比较从所述非易失性存储器读出的读出信号的电平与第1基准电平的第1读出放大器,其特征在于,具备检测机构,其在检测出所述读出信号的电平与所述第1基准电平之差比规定的电平差小时,输出表示比该电平差小的检测信号。 |
地址 |
日本国大阪府 |