制造闪存装置的方法

摘要

本发明涉及一种制造闪存装置的方法。在单一蚀刻设备中蚀刻多个导电层及介电层，从而形成控制栅极及浮动栅极。在其中浮动栅极的厚度超过1500的栅极形成过程中，可解决现有过程中较短的过程时间及较小的大容量生产限度方面的问题，同时完全剥离介电层栅。

主权项

1.一种用于制造闪存装置的方法，其包括：在半导体基板上形成隧道氧化物层及第一导电层，并接着进行浅槽隔离过程以形成定义第一区域及第二区域的隔离层的第一步骤；在整个结构上形成第二导电层，并接着图案化该第二导电层及该第一导电层以形成浮动栅极图案的第二步骤；在整个结构上形成介电层、第三导电层、第四导电层以及硬掩膜层，并接着图案化该硬掩膜层的第三步骤；以及采用该硬掩膜层作为掩膜在单一蚀刻设备中由第四导电层蚀刻至第一导电层，由此形成控制栅极及浮动栅极的第四步骤。