| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的课题是，在备有接触层的半导体装置中，使接触电阻降低，同时抑制结漏电。该半导体装置包括：在硅半导体衬底(1)上形成的导电层(3)；在导电层(3)的表层形成的硅化钴膜(4、7)；覆盖在硅半导体衬底(1)上的层间绝缘膜(5)；以及充填层间绝缘膜(5)的接触孔(6)、与硅化钴膜(4)进行电连接的势垒金属膜(8)和钨膜(9)，接触孔(6)的底部的硅化钴膜(4、7)的下表面的位置比接触孔(6)的外侧的硅化钴膜(4)的下表面的位置要低。可在接触孔(6)的底部确保必要膜厚的硅化钴膜，可使接触电阻降低，同时抑制结漏电。 | ||
| 申请公布号 | CN1201393C | 申请公布日期 | 2005.05.11 |
| 申请号 | CN02142068.8 | 申请日期 | 2002.08.26 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 塚本和宏 |
| 分类号 | H01L23/522;H01L21/768;H01L21/00 | 主分类号 | H01L23/522 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于：具有：在半导体衬底上形成的第1杂质扩散层；在上述杂质扩散层的表层形成的第1低电阻膜；覆盖在上述半导体衬底上的绝缘膜；以及充填上述绝缘膜的第1开口，与上述低电阻膜进行电连接的第1导电膜，在上述第1开口的底部的上述第1低电阻膜的下表面的位置低于上述第1开口的外侧的上述第1低电阻膜的下表面的位置。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||