一种内金属介电层结构及其形成方法

摘要

本发明为一种内金属介电层结构及其形成方法，该集成电路具有第一金属层以及第二金属层，本方法包含：在第一金属层之上形成第一氧化硅层；在第一氧化硅层之上形成旋涂式玻璃层；在旋涂式玻璃层之上形成蚀刻终止层；在蚀刻终止层之上形成第二氧化硅层，进而在完成第一金属层与第二金属层之间的内金属介电层，其中蚀刻终止层于后续的导通孔制作过程中所进行的湿蚀刻，相对于这些氧化硅层在旋涂式玻璃层具有低蚀刻比的特性，而能得较佳的导通孔轮廓。

主权项

1.一种内金属介电结构，其应用于具有多重金属层结构的集成电路中，该集成电路具有第一金属层以及第二金属层，而本内金属介电层结构包含：第一氧化硅层，位于该第一金属层之上；旋涂式玻璃层，位于该第一氧化硅层之上；蚀刻终止层，位于该旋涂式玻璃层之上；以及第二氧化硅层，位于该蚀刻终止层之上与该第二金属层之下，其中该蚀刻终止层于后续导通孔制作过程中所进行的湿蚀刻，相对于这些氧化硅层与该旋涂式玻璃层具有低蚀刻比的特性，而能得较佳导通孔轮廓。