半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种在与半导体衬底尺寸相同的晶片级(wafer level)CSP半导体器件领域中，能够利用表示半导体器件的方向及产品信息的标记，来识别被切成单个的半导体器件的方向及产品信息的半导体器件及其制造方法，其中，该标记能够在与半导体器件尺寸、形状及端子数目无关，且在不增加制造工序数目的情况下形成。与金属布线21的形成工序同时形成的第1标记19的一部分，从被切割成单个的半导体器件26的相互平行的两个侧面、或者一个侧面呈矩形状露出，从而能够识别小型半导体器件中的半导体器件的方向及产品信息。

主权项

1、一种半导体器件，其包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底表面上的元件电极；至少在所述元件电极上设置开口部分，形成在所述半导体衬底上的第1绝缘层；从所述元件电极上到所述第1绝缘层的一部分上形成的金属布线；形成在所述半导体衬底的上方的、除去所述金属布线的一部分表面之外的第2绝缘层；以及形成在从所述第2绝缘层露出的所述金属布线上的外部连接端，其特征在于：由金属构成的多个标记部分，从与所述半导体衬底表面大致垂直的所述半导体器件的侧面中的、由所述第2绝缘层构成的部分露出。