发明名称 |
填充间隙的方法与浅沟渠隔离结构的制造方法 |
摘要 |
本发明是关于一种填充间隙的方法与浅沟渠隔离结构的制造方法,该填充间隙的方法,是先提供一基底,且该基底上已形成有数个凸部,而且各个凸部之间是具有间隙。接着,在基底上形成第一介电层,以填入这些凸部之间的间隙,并覆盖这些凸部,其中所形成的第一介电层中具有数个缝隙,且这些缝隙的位置是高于凸部的顶部。然后,进行化学机械研磨法,移除部分第一介电层,以使缝隙打开,而形成数个开口。之后,进行非等向性蚀刻制程,以扩大这些开口的宽度。继之,在第一介电层上形成第二介电层,以填满开口。本发明可以避免现有知方法在凸部间的间隙填入介电材料时,会在介电材料层中产生缝隙的问题。从而更加适于实用,且具有产业上的利用价值。 |
申请公布号 |
CN1614752A |
申请公布日期 |
2005.05.11 |
申请号 |
CN200310103442.0 |
申请日期 |
2003.11.03 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
吕前宏;苏金达;陈光钊 |
分类号 |
H01L21/31;H01L21/768;H01L21/76;H01L21/762 |
主分类号 |
H01L21/31 |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
寿宁;张华辉 |
主权项 |
1、一种填充间隙的方法,其特征在于其包括以下步骤:提供一基底,且该基底上已形成有复数个凸部,而且各该些凸部之间具有一间隙;在该基底上形成一第一介电层,以填入该些凸部之间的该间隙,并覆盖该些凸部,其中所形成的该第一介电层中具有复数个缝隙,且该些缝隙的位置是高于该些凸部的顶部;进行一化学机械研磨法,移除部分该第一介电层,以使该些缝隙打开,而形成复数个开口;进行一非等向性蚀刻制程,以扩大该些开口的宽度;以及在该第一介电层上形成一第二介电层,以填满该些开口。 |
地址 |
中国台湾 |