发明名称 存储单元具有磁阻存储效应的集成存储器及其工作方法
摘要 一种集成存储器,其带有具有磁阻存储效应的存储单元(MC),所述的存储单元分别被连接在多个列线(BL0~BLn)中的一个与多个行线(WL0~WLm)中的一个之间。为了读取与所述行线(WL2)相连的存储单元(MC2)的数据信号(DA),所述行线之一(WL2)可以在选择电路(2)内与选择信号(GND)的端子相连。如此地控制其它的行线(WL0,WL1,WLm),使得其在所述选择电路(2)内被电隔离开,以便读取数据信号(DA)。由此可以实现较可靠的读取过程。
申请公布号 CN1201333C 申请公布日期 2005.05.11
申请号 CN01122144.5 申请日期 2001.07.03
申请人 因芬尼昂技术股份公司 发明人 P·佩赫米勒
分类号 G11C11/02;G11C8/00;G11C7/00 主分类号 G11C11/02
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 程天正;张志醒
主权项 1.其存储单元(MC)具有磁阻存储效应的集成存储器,所述的存储单元分别被连接在多个列线(BL0~BLn)中的一个与多个行线(WL0~WLm)中的一个之间,其特征在于:-所述的行线(WL0~WLm)与一个选择电路(2)相连,-为了读取与所述行线(WL2)相连的存储单元(MC2)的数据信号(DA),所述行线之一(WL2)可以在所述选择电路(2)内与选择信号(GND)的端子相连,-如此地构造和通过控制装置(4)控制所述的选择电路(2),使得所述不与存储单元(MC2)相连的行线(WL0,WL1,WLm)在所述选择电路(2)内被电隔离开,以便读取所述的数据信号(DA)。
地址 联邦德国慕尼黑