半导体制造工艺和半导体器件制造工艺

摘要

一种以较低结晶温度和较短时间周期制造半导体的工艺，其工序是：在衬底上形成绝缘物涂层；将所述绝缘物涂层暴露到等离子体中：在上述暴露工序之后，在所述绝缘物涂层上形成非晶硅膜；并且在400到650℃或更高温度中，但不得高于衬底玻璃转换温度，热处理所述硅膜。成晶核部位是这样被控制的，选择性地将非晶硅膜暴露到等离子体中或选择性地施加一种物质，该物质含有起催化作用的元素。也披露了用同样方法制造簿膜晶体管的工艺。

主权项

1.一种制造薄膜晶体管的方法，所述晶体管的有源层具有一沟道区，该方法包括下列步骤：用含催化剂的溶液涂覆半导体膜，以促进所述半导体膜晶化；加热所述涂覆有所述催化剂的半导体膜，使其晶化；往晶化半导体膜的预选区加入磷离子，所述预选区不包括所述薄膜晶体管的所述沟道区；和用灯对所述加有磷离子的晶化半导体膜进行热退火。