用于具有邻近位预先充电的闪速EPROM阵列的虚拟接地读取的源极侧感测结构

摘要

本发明揭示一种系统(600、800)以便为虚拟接地闪存(640)的操作产生闪速存储单元(866)的逻辑状态指示(679)。系统(600、800)包含有位线预先充电和保持电路(660、855)，可用于在读取操作期间提供源极端电压(859)(例如，大约0伏特或接地)给与所感测存储单元邻近的存储单元(856)的源极端(857)相关的位线(850)且维持此电压，其中所提供的源极端电压很明显地与提供给所选择的将感测存储单元(866)的源极端位线(860)的位线虚拟接地电压(869)电压相同。系统(600、800)也包含有漏极位线电路(650、875)，可用于为所选择的将感测存储单元(866)的漏极端(868)产生漏极端电压(615、815)。系统(600、800)更包含有选择位线译码电路(652)，可用于选择感测存储单元(866)的位线(860、870)和邻近存储单元(856)的位线(850)，和核心存储单元感测电路(695、890)，可用于在读取操作期间在与所选择的将感测存储单元(866)的源极端(867)相关的位线上感测核心存储单元电流(675)，且产生闪速存储单元逻辑状态的指示(679)，此指示实质上不受邻近存储单元的充电共享漏电流影响。

主权项

1.一种用来产生闪速存储单元的逻辑状态的指示的系统(600、800)，该闪速存储单元用于虚拟接地闪速存储体结构，该系统包括：虚拟接地闪存阵列(640)，其建构成具有与位线相关的存储单元的行，和与字线相关的所述阵列的存储单元的列，以便选择所述阵列的核心存储单元，其中与指定字线相关的存储单元的漏极和源极端串联耦接在个别位线之间，而该等存储单元的栅极耦接至个别的字线；漏极位线电路(650)，其可用于为所选择的将感测存储单元的漏极端产生漏极端电压；核心存储单元感测电路(695)，其可用于在与所选择的将感测存储单元的源极端相关的位线上感测核心存储单元电流(675)，且产生闪速存储单元逻辑状态的指示(679)；位线预先充电和保持电路(660)，其建构成在读取操作期间提供源极端电压给与所选择的将感测存储单元的邻近存储单元的源极端相关的位线，其中所提供的源极端电压很明显地与提供给所选择的将感测存储单元的源极端的位线有相同的位线电压；以及选择位线译码电路(652、660、690、695)，其可于在读取操作期间选择所选择的将感测存储单元的位元线和邻近存储单元的位线，其中提供电压给邻近感测存储单元的存储单元的位线以消除充电共享漏电流，此漏电流通常会流至邻近存储单元。