| 发明名称 | 处理装置及方法 | ||
| 摘要 | 一种处理装置和方法，是对被处理基体实施等离子体处理的处理装置和方法，其特征在于，所述处理装置具有收纳所述被处理基体并产生等离子体的处理室和将气体导入所述处理室内的装置，而且，还具有将所述被处理基体配置在比所述等离子体发生区域更接近所述气体上游位置的机构，配置在比所述被处理基体更接近所述等离子体发生区域的位置的排气机构，及将所述被处理基体上活性种浓度维持在10<SUP>9</SUP>～10<SUP>11</SUP>cm<SUP>－3</SUP>范围内的机构。 | ||
| 申请公布号 | CN1614739A | 申请公布日期 | 2005.05.11 |
| 申请号 | CN200410008504.4 | 申请日期 | 2004.03.11 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 铃木伸昌 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L21/205;H01L21/3065 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 杨宏军 |
| 主权项 | 1.一种处理装置，是对被处理基体实施等离子体处理的处理装置，其特征在于，所述处理装置具有如下部分：收纳所述被处理基体并产生等离子体的处理室，将气体导入所述处理室内的气体导入装置，和将所述被处理基体配置在比所述等离子体发生区域更接近所述气体上游位置的机构。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||