SEMICONDUCTOR PRESSURE SENSOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

摘要

Ein Herstellungsverfahren für Halbleiterdrucksensoren umfasst: Bereitstellen eines Gegenkörperwafers und eines Entkopplungskörperwafers, wobei der Gegenkörperwafer eine erste Fügefläche aufweist, die mit einer zweiten Fügefläche des Entkopplungskörperswafers zu fügen ist; Erzeugen einer Vielzahl von Vorsprüngen in der ersten und/oder der zweiten Fügefläche durch Entfernen des die Vorsprünge umgebenden Materials; Fügen der ersten und der zweiten Fügefläche; und Vereinzeln der Halbleiterdrucksensoren. Bei dem Fügen der ersten und der zweiten Fügefläche, werden die Vorsprünge einer der beiden Fügeflächen mit der gegenüberliegenden Fügefläche gefügt. Zwei Si-Wafer können durch Fusionsbonden bei 1000°C gefügt werden. Optional kann noch eine Abschirmung bzw. ein Guarding aufgebracht werden. Hierzu werden zunächst Vereinzelungsschnitte bis zu einer Tiefe geführt bis zu der das Guarding reichen soll. Anschliessend werden eine isolierende SiO2-Schicht und eine Si-Schicht auf die Oberfläche des Membrankörperwafers und die freigelegten Seitenflächen der Halbleiterdrucksensoren aufgebracht. Abschliessend werden die verbleibenden Verbindungen zwischen den Halbleiterdrucksensoren durchtrennt.