发明名称 |
用激光结晶化法加工衬底上半导体薄膜区域的方法和掩模投影系统 |
摘要 |
提供了一种在样品上加工硅薄膜的方法和系统。尤其是,控制照射束发生器以预定脉冲重复频率发射照射束脉冲。然后将这些照射束脉冲分成第一组光束脉冲和第二组光束脉冲。第一组光束脉冲照透过过掩模,产生出许多细光束。第二组光束脉冲和细光束照射至少一个硅薄膜区域。当第二组光束脉冲和细光束同时照射硅薄膜的这个区域时,细光束和第二组光束脉冲的组合使其具有足以熔化硅薄膜该区域整个厚度的复合强度。 |
申请公布号 |
CN1200320C |
申请公布日期 |
2005.05.04 |
申请号 |
CN01819257.2 |
申请日期 |
2001.11.27 |
申请人 |
纽约市哥伦比亚大学托管会 |
发明人 |
詹姆斯·S·埃姆 |
分类号 |
G03F7/20;B23K26/067 |
主分类号 |
G03F7/20 |
代理机构 |
北京中安信知识产权代理事务所 |
代理人 |
张小娟;徐林 |
主权项 |
1.一种加工样品上硅薄膜的方法,包括以下步骤:(a)控制一个照射束发生器以预定重复频率发射照射束脉冲;(b)将照射束脉冲分为第一组分光束脉冲和第二组分光束脉冲;(c)使第一组分光束脉冲照射并至少部分穿过掩模,产生多个细光束;(d)提供第二组分光束脉冲和这些细光束入射并照射硅薄膜的至少一个区域,其中,当第二组分光束脉冲和这些细光束同时照射硅薄膜的至少一个区域时,第二组分光束脉冲和这些细光束提供的复合强度足以熔化硅薄膜至少一个被照射区域的整个厚度。 |
地址 |
美国纽约市 |